外媒週四 (12 日) 報導指出，記憶體荒緩解與價格回落不會只靠「蓋新廠」就能快速發生，即便產能在 2027 年後逐步開出，HBM 持續升級、AI 資料中心投資維持高檔、以及價格黏性，都可能讓記憶體價格在更長一段時間內維持高位震盪。

AI 熱潮正把電腦記憶體市場推向前所未見的緊張狀態。用於 AI 資料中心 GPU 與加速器的 DRAM 需求龐大且獲利豐厚，正在排擠 PC 與消費性電子等其他用途的供應，推升整體價格。

Counterpoint Research 估計，本季迄今 DRAM 價格已上漲約 80% 至 90%。大型 AI 硬體業者更稱已把晶片供應一路確保到 2028 年，使得其餘產業鏈不得不在供給短缺與價格上漲的環境下搶料應對。

IEEE Spectrum 半導體編輯 Samuel K. Moore 訪問多位經濟學家與記憶體專家後指出，眼前短缺源於兩股力量的正面碰撞：一是 DRAM 產業長期存在的景氣循環，二是規模空前的 AI 硬體基礎建設擴張。

Coughlin Associates 總裁、儲存與記憶體專家 Thomas Coughlin 表示，新建晶圓廠動輒需要 150 億美元以上資本支出，企業在擴產上向來保守，且建廠到量產往往要 18 個月或更久，新增產能經常在需求高峰後才到位，導致供需反覆失衡。

Coughlin 認為，本輪循環的起點可追溯至新冠疫情期間的供應鏈恐慌。為支援遠距工作並避免斷鏈，亞馬遜、Google、微軟等超大規模資料中心業者曾大量囤積記憶體與儲存設備，推升價格；但當供應恢復、資料中心擴張在 2022 年放緩後，記憶體與儲存價格又快速下跌，低迷一路延續至 2023 年。

Coughlin 指出，三星等大廠甚至一度減產約 50% 以避免價格跌破製造成本，這在必須維持高稼動率才能回收投資的產業裡，屬於相當罕見且被迫的選擇。進入 2023 年底復甦後，記憶體與儲存公司普遍對擴產保持高度戒心，導致 2024 年到 2025 年大多時間幾乎缺乏新增產能投資，埋下供給不足的伏筆。

這段「投資空窗」如今正撞上 AI 資料中心的急速擴張。

依 Data Center Map 統計，全球目前有近 2,000 座資料中心正在規劃或建置中，若全數落地，全球資料中心規模將較目前約 9,000 座增加約 20%。

麥肯錫預測，若建設速度延續，到 2030 年企業將投入約 7 兆美元於資料中心，其中 5.2 兆美元將流向 AI 導向資料中心；相關支出中，伺服器、資料儲存與網路設備合計約 3.3 兆美元。

在這波熱潮下，最大受益者之一是 GPU 供應商輝達。其資料中心業務營收，從 2019 年第四季不足 10 億美元，躍升至 2025 年 10 月止季度約 510 億美元。

與此同時，HBM 的角色重要性快速升溫。輝達最新 B300 採用 8 顆 HBM，每顆為 12 層 DRAM 晶粒堆疊；AMD 的 MI350 GPU 亦採用 8 顆、12 層配置。

SemiAnalysis 估計，HBM 成本通常是其他記憶體類型的約 3 倍，並可能占整個 GPU 封裝成本的 50% 以上，使 HBM 成為影響供需與價格的核心變數。

對 DRAM 製造商而言，HBM 比重也迅速攀升。

美光表示，HBM 與其他雲端相關記憶體在其 DRAM 營收占比，已從 2023 年約 17% 上升至 2025 年接近 50%。

美光執行長 Sanjay Mehrotra 去年 12 月對分析師指出，公司預期 HBM 市場規模將由 2025 年約 350 億美元擴大至 2028 年約 1,000 億美元，並稱產業需求在可預見的未來將「大幅超過供應」。

外界也在關注產能擴張能否帶來緩解。

Mkecon Insights 經濟學家 Mina Kim 表示，解決 DRAM 供應問題基本上只有兩條路：技術創新或新建晶圓廠；但在 DRAM 製程微縮越加困難情況下，產業轉向先進封裝，本質上往往意味著「使用更多 DRAM」，供給壓力不易快速解除。

三大記憶體廠雖已推進擴產，但多數要到 2027 年以後才會逐步發揮效果。

美光正在新加坡興建 HBM 廠，預計 2027 年投產；並整修其自台灣力積電 (PSMC) 收購的廠區，規劃於 2027 年下半年投產；同時也在紐約州奧農達加郡興建 DRAM 廠區，但預計要到 2030 年才會全面量產。

三星規劃於 2028 年在南韓平澤新廠開始生產。

SK 海力士則在南韓清州興建 HBM 廠，預計 2027 年完工，並在美國印第安納州西拉法葉 (West Lafayette) 建置 HBM 與封裝設施，預估於 2028 年底開始生產。

即使擴產在路上，市場可能仍需更長時間才見到明顯舒緩。

英特爾執行長 陳立武 上週在思科 AI 峰會談及 DRAM 市場時直言：「到 2028 年之前都不會有緩解。」

全球電子協會 (Global Electronics Association，前身為 IPC) 經濟學家 Shawn DuBravac 則認為，供給改善將來自多因素並進，包括現有 DRAM 領先廠商的逐步擴產、先進封裝良率提升與製程學習曲線、堆疊效率提高，以及記憶體供應商與 AI 晶片設計商之間更緊密的協作；新晶圓廠雖有助益，但更快的增量可能來自良率與效率的提升。

至於價格何時降溫，專家普遍不樂觀。

Kim 指出，價格上漲往往快速，回落則通常更慢、也更不情願；在算力需求「難以餵飽」的背景下，DRAM 可能也不例外。另一方面，新一代技術還可能進一步推升 HBM 對矽資源的消耗。HBM4 標準可支援 16 層 DRAM 堆疊，但目前多為 12 層，往 16 層邁進受限於堆疊製程與散熱能力。

報導提到，SK 海力士主張其 Advanced MR-MUF 技術在導熱上具優勢；更長期的替代方案是 Hybrid bonding(混合鍵合)，透過將晶粒間距幾乎降至零以改善導熱。

三星研究人員在 2024 年已證明可用混合鍵合做出 16 層堆疊，並認為 20 層堆疊並非遙不可及。

整體而言，記憶體荒緩解與價格回落不會只靠「蓋新廠」就能快速發生。即便產能在 2027 年後逐步開出，HBM 持續升級、AI 資料中心投資維持高檔、以及價格黏性，都可能讓記憶體價格在更長一段時間內維持高位震盪。