英特爾(INTC-US) 14A製程進展傳出正面訊號，財務長David Zinsner表示，14A缺陷密度的改善速度已達到公司自2012年22奈米製程推出以來最快水準，且首批14A產品已啟動設計，顯示製程成熟度與客戶興趣同步提升。英特爾預計14A於2027年進入風險試產、2028年量產，並持續開發採用正反面供電架構的第二代14A2製程。

根據《Wccftech》報導，Zinsner日前在德意志銀行（Deutsche Bank）2026年科技大會上談及14A製程的發展。

他指出，從缺陷密度（defect density）的改善情況來看，14A目前的進展速度與當年的22奈米製程相近。英特爾22奈米製程節點具有歷史意義，因為這是該公司首次導入FinFET電晶體設計技術的製程節點。

製程技術的缺陷密度是衡量晶圓單位面積內缺陷或污染程度的指標，通常以每平方公分的缺陷數量計算。

14A是英特爾未來製程藍圖的關鍵節點。公司先後在前執行長Pat Gelsinger及現任執行長陳立武（Lip-Bu Tan）領導下，均將提升晶圓代工業務競爭力視為重要目標，希望在全球晶圓代工市場追趕台積電(2330-TW) 在晶片代工上的地位。

英特爾今年7月曾確認，14A製程預計在2027年進入風險試產，並將於2028年進入量產，較公司先前提出的2028年風險試產規劃有所提前。

Zinsner此次談話也延續他去年對14A成熟度的說法。2025年他曾表示，若比較14A與18A在相同成熟階段的表現，14A在效能與良率方面更為出色。如今時隔約一年，他進一步指出，14A缺陷密度的改善速度正接近22奈米製程當年的水準。

值得注意的是，Zinsner透露，英特爾已經開始設計首批採用14A製程的產品。14A能否獲得客戶採用，是英特爾晶圓代工業務能否成功的重要因素，公司管理層過去也曾表示，若客戶對14A的興趣不足，可能對該製程的發展造成影響。

英特爾目前也同步開發14A的第二代版本14A2。據悉，14A2將採用晶片正面與背面供電的設計，以改善先進製程下的供電問題。隨著製程尺寸持續縮小，晶片內部負責傳輸訊號的導線可能出現電壓下降，因此需要改變供電架構，以因應相關挑戰。