隨著英特爾 (INTC-US) Panther Lake 晶片亮相，2026 年將成為全球先進製程競賽的關鍵賽點。台積電 (2330-TW) 2 奈米量產、三星的良率攻關，以及英特爾 18A 晶片的大規模投產，都將在這一年迎來最終檢驗，決定各自的市場競爭力。

英特爾近日正式公開全球首款基於 1.8 奈米工藝（Intel 18A）的 Panther Lake 筆記型電腦晶片技術細節。

這款預計於 2026 年初上市的處理器，性能較前代提升 50%，能耗降低 30%，標誌著英特爾在先進製程領域的重要突破。

在 Fab 52 晶圓廠參觀過程中，分析師透過觀察通道玻璃見證了英特爾多年研發成果。這座耗資數十億美元的晶圓廠，是英特爾 IDM 2.0 策略的核心，也是其重新進入先進製程市場的重要基礎設施。

英特爾突破製程瓶頸的技術創新

隨著晶片製程邁入 2 奈米以下節點，傳統技術面臨物理極限挑戰。英特爾 18A 晶片採用了兩項核心技術：RibbonFET 電晶體架構與 PowerVia 背面供電技術。

RibbonFET 為英特爾首代全環繞式閘極（GAA）電晶體，採用垂直堆疊奈米片結構，較傳統 FinFET 設計提升通道控制能力，不僅增強開關速度，也將晶片電晶體密度提高約 30%。

PowerVia 技術則將電源布線移至晶圓背面，釋放正面空間，使訊號布線更靈活，單元利用率提升 5% 至 10%，同時改善電壓穩定性，帶來約 4% 的能效增益。

相較之下，台積電的 2 奈米製程仍採正面供電，背面供電要等到 2026 年 N2P 版本才導入，使英特爾在技術上取得約一年的先行優勢。

英特爾、台積電、三星：全球先進製程競爭格局

隨著英特爾 18A 晶片亮相，全球先進製程競爭進入新階段。台積電、三星及英特爾三大晶圓代工巨頭在小於 2 奈米領域採取不同策略。

台積電採取穩健路線，2 奈米工藝計畫於 2025 年下半年量產，1.4 奈米鎖定 2028 年。初期 2 奈米版本尚未導入背面供電，依靠第二代 GAA 架構及設計優化提升晶片性能。

其完整的客戶生態系統，包括蘋果 (AAPL-US) 與輝達 (NVDA-US) 等企業已將 2 奈米訂單優先分配，預計 2026 年 iPhone 18 系列將首發 2 奈米晶片。

三星則在 3 奈米工藝率先導入 GAA 電晶體技術，但良率問題影響客戶信心。三星 2 奈米量產計畫已推遲至 2025 年，並透過低於台積電 15% 至 20% 的價格吸引客戶。

此前，高通 (QCOM-US) 就曾因三星 4 奈米能效表現不佳而轉向台積電，顯示三星仍需解決技術可靠性挑戰。

在三強競爭格局中，若英特爾如期量產 18A 並獲得主要客戶支持，有望改寫晶片代工市場格局。

然而，短期內台積電仍掌握先進製程市場約 66% 佔有率，2025 年第一季代工收入達 47 億美元，年增 7%，保持領先地位。

英特爾、台積電、三星：2026 年技術革命與未來展望

展望未來，技術革命正逐步形成。英特爾計畫於 2027 年進行 14A（1.4 奈米）晶片風險試產，採用高數值孔徑（High-NA）EUV 曝光機。

台積電 A14 製程則鎖定 2028 年量產，其 NanoFlex Pro 設計可實現電晶體密度三級可調，進一步提升晶片性能與效率。

Gartner 預測，到 2028 年全球 1.8 奈米及以下先進晶片市場規模將突破 300 億美元，其中 AI 與高性能計算領域占比超過 60%。

這場價值千億美元的競賽，勝負不僅取決於曝光精度，更取決於供應鏈韌性、成本控制與生態系統建設的綜合實力。