美光 (MU-US) 今 (12) 日宣布，已將 12 層堆疊 36GB HBM4 送樣給多家主要客戶，也是繼 SK 海力士第二家宣布出貨 HBM4 的業者，顯現雙方技術差距步逐步拉近，美光 HBM4 預計將於 2026 年量產，以配合客戶下一代 AI 平台的擴產進度。

美光看好，此一里程碑再次擴大公司在 AI 記憶體效能和能源效率方面的領導地位，憑藉成熟 1β(1-beta)DRAM 製程、備經驗證的 12 層先進封裝技術及功能強大的記憶體內建自我測試 (MBIST) 功能，美光 HBM4 為開發下一代 AI 平台的客戶和合作夥伴提供無縫整合的解決方案。

隨著生成式 AI 應用不斷成長，有效管理推論能力的重要性與日俱增。美光 HBM4 記憶體具有 2048 位元介面，每個記憶體堆疊的傳輸速率超過 2.0 TB/s，效能較前一代產品提升逾 60%。

美光預期，透過擴展介面有助實現高速通訊和高吞吐量設計，進而提高大型語言模型和思路鏈推理系統的推論效能。簡而言之，HBM4 將使 AI 加速器具備更快的反應速度與更高效的推理能力。

此外，延續美光前一代 HBM3E 記憶體曾在業界樹立無與倫比的 HBM 能源效率新標竿，HBM4 的能源效率再提升逾 2 成，展現了更進一步的技術突破。這項進展能以最低功耗提供最大吞吐量，進而最大限度地提高資料中心的效率。

在生成式 AI 應用場景不斷增加之際，此顛覆性技術可望為整體社會帶來可觀效益。HBM4 是能加速洞察與創新突破的關鍵推動力，從而促進醫療保健、金融和交通運輸等不同領域的進步與變革。

美光科技資深副總裁暨雲端記憶體事業部門總經理 Raj Narasimhan 表示，美光 HBM4 具備卓越的效能、更高的頻寬和業界首屈一指的能源效率，證明美光在記憶體技術和產品方面的領導地位。在 HBM3E 所創下的重大里程碑基礎上，我們將繼續透過 HBM4 及強大的 AI 記憶體和儲存解決方案組合引領創新。我們的 HBM4 生產時程與客戶下一代 AI 平台的準備進度緊密銜接，以確保無縫整合與適時擴大產量，滿足市場需求。

近 50 年來，美光不斷突破記憶體和儲存創新的界限。今日，美光持續提供廣泛多元的解決方案，使資料轉化為智能，推動從資料中心到邊緣裝置的突破，進而加速 AI 發展。憑藉 HBM4，美光再次鞏固了其作為 AI 創新領域關鍵推手的地位，並在客戶開發最嚴苛解決方案時，證明其為值得信賴的合作夥伴。