外媒最新報導指出，繼 LPDDR6 標準問世後，全球前三大記憶體廠商三星、SK 海力士與美光科技正全力衝刺下一代 DDR6 標準的研發。

南韓媒體《The Elec》周一 (4 日) 引述業界消息人士談話報導，儘管 JEDEC(聯合電子設備工程委員會)尚未敲定最終規範，但三巨頭已要求基板供應商啟動設計作業，目標是在量產前夕完成測試樣品準備。

根據供應鏈透露，記憶體廠與基板業者通常會在產品上市前兩年以上啟動共同開發，而 DDR6 的初步研發工作近期才剛展開。業界預估，DDR6 的商用化時程將落在 2028 年至 2029 年之間。

在效能表現上，DDR6 將較現役的 DDR5 有顯著躍進。根據先前曝光的 JEDEC 路線圖，DDR6 傳輸速度最高可達 17.6 Gbps，約為 DDR5 規劃上限的兩倍，將大幅提升系統頻寬與運算效率。

值得注意的是，JEDEC 去年先行發布 LPDDR6 標準，該標準新增了「x6 子通道模式」，允許在單一封裝內堆疊更多記憶體裸片，讓系統總容量有望突破 512GB。

隨著 AI 與高效能運算對記憶體容量與頻寬需求持續暴增，DDR6 與 LPDDR6 的接續問世，將成為支撐未來算力發展的關鍵基石。