全球記憶體晶片類股10月持續劇烈修正。南韓SK海力士與三星電子股價大跌之餘，美光(MU-US)、鎧俠(Kioxia)等指標大廠同步走低，費城半導體指數與記憶體晶片指數均呈現顯著拉回。市場將焦點指向中國記憶體大廠長鑫存儲(CXMT)公布的新技術進展，以及長江存儲(YMTC)遞交IPO申請所帶來的潛在供給衝擊。

在技術發展方面，長鑫存儲總裁曹堪宇於上海產業論壇表示，公司計畫於2026年底前推出採用4F²架構的伺服器DDR5 RDIMM記憶體產品。該架構相較於目前主流的6F²佈局，可在相同晶圓面積下提升約30%至50%的位元密度。

對此，高盛發表報告評估，市場過度高估了該項技術突破的短期衝擊，但可能低估了中國記憶體產能擴張的速度。

高盛分析指出，4F²架構從研發樣品到高良率量產、客戶驗證需時甚久；且長鑫在先進DRAM製程節點(如1c)以及高頻寬記憶體(HBM)基礎晶片製造上，因缺乏極紫外光(EUV)設備與先進邏輯代工支援，與韓系大廠仍存在顯著代際差距，對高階記憶體市場衝擊相當有限。

野村證券與中信證券分析指出，4F²技術在2028年前難以對市場產生實質供需影響。

除了技術層面，市場調整反映了供需基本面的修正。市調機構 TrendForce 數據顯示，通用型DRAM合約價季增幅已出現逐季收斂趨勢。

特斯拉執行長馬斯克(Elon Musk)先前公開指責記憶體價格過於昂貴。市場分析人士指出，記憶體價格大幅上揚壓制下遊需求，下遊客戶前期「超額預訂(Double Booking)」的訂單已開始面臨出清與調整。

研調機構 Counterpoint 分析師Jeongku Choi與MS Hwang指出，長江存儲雖已升至全球NAND出貨量第三位，但其技術能否進一步轉化為中國以外海外客戶的訂單，仍為後續觀察重點。

在總體經濟與AI產業鏈傳導方面，Pepperstone研究主管 Chris Weston 觀察到半導體類股已跌破近期交易區間。

博通執行長 Hock Tan 與投資人 Ray Dalio 警示AI市場出現過熱疑慮。蓉和半導體諮詢執行長吳梓豪分析，本次股市修正主因由算力服務商 CoreWeave 債務違約風險升溫、通膨及美債殖利率上升所觸發。下游融資與建設放緩的寒意自下而上傳導至記憶體供應鏈，屬於整體AI概念股評價面的系統性修整，而非單一競爭對手的技術威脅所致。