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馬斯克批記憶體廠「敲竹槓」 韓工程師回擊:特斯拉條件才「苛刻」 三星還被大量挖角

鉅亨網編譯羅昀玫
馬斯克批記憶體廠「敲竹槓」 韓工程師回擊:特斯拉條件才「苛刻」 三星還被大量挖角 (圖:shutterstock)
馬斯克批記憶體廠「敲竹槓」 韓工程師回擊:特斯拉條件才「苛刻」 三星還被大量挖角 (圖:shutterstock)

馬斯克日前稱讚美光 (MU-US) 未來記憶體報價合理,並批評其他供應商開價過高,引發南韓半導體工程師反擊。這名工程師指控,特斯拉 (TSLA-US) 在AI晶片代工談判中,要求三星接受「苛刻條件」,不僅大幅壓價,還要求分享晶圓廠內部資訊、接受稽核;另一方面,馬斯克推動的Terafab計畫也從三星美國德州泰勒廠(Taylor) 挖走大量人才。

科技媒體《Wccftech》週四 (15日) 報導,這名在社群平台X使用帳號「@TTHUEONE」的南韓半導體工程師,針對馬斯克近期談話發文反擊。不過,相關合約條件及挖角規模,目前仍屬該工程師的單方說法,報導未提供可供獨立核實的合約文件或人員流動數據。

這場爭議源於馬斯克本週稍早對記憶體供應商的評論。他表示,美光對未來記憶體價格的態度合理,其他業者卻開出近乎「敲竹槓」的價格。馬斯克並未點名特定公司,但外界將這番話解讀為可能影射三星、SK海力士等供應商。

該工程師則指控,特斯拉在AI5與AI6晶片代工談判中,一面要求三星大幅降價,一面要求取得晶圓廠內部資訊,甚至進行稽核。

他也聲稱,Terafab已從三星泰勒廠挖走「一大批當地人才」,質疑馬斯克旗下企業在取得三星資源後,又公開批評供應商報價。

三星泰勒廠與Terafab均位於德州,也都涉及馬斯克旗下企業的AI晶片布局。依《Wccftech》報導,特斯拉AI5晶片預計由台積電 (2330-TW)(TSM-US) 與三星代工,其中三星泰勒廠已展開試產,目標於2027年量產。

AI5的設計與記憶體配置也持續調整。報導指出,該晶片採用中央運算晶粒搭配周邊12個DRAM模組的配置,預期運算效能為2,000至2,500 TOPS,即每秒可執行約2,000兆至2,500兆次運算。原先規劃搭載144GB LPDDR5記憶體,馬斯克一度提出降至72GB,近期則將容量調整為96GB。

馬斯克先前宣稱,AI5相較於輝達 (NVDA-US) 的同級晶片,可提供約3倍效能,成本僅約十分之一。不過,這項說法出自馬斯克,報導未提供獨立測試結果或完整比較條件。

除了既有代工合作,馬斯克也正透過Terafab推動自建半導體製造體系。這項由特斯拉與SpaceX共同推動、並獲英特爾 (INTC-US) 提供技術支援的計畫,長期目標是每年生產可支應1太瓦 (TW) AI運算能力的晶片。

Terafab目前仍處於初期階段。該計畫擬先投入168億美元,在德州格萊姆斯郡興建半導體園區,未來規劃擴展至約1億平方英尺。計畫構想是整合光罩製作、微影、先進小晶片封裝及測試等流程,目標將目前約6至9個月的晶片設計迭代週期縮短至數週。上述投資規模、園區面積及開發時程均為該媒體報導的規畫與目標。

台積電是否參與Terafab,同樣受到關注。

台積電董事長魏哲家則於10月15日的法說會上證實,台積電已派團隊前往德州評估設廠,並正與馬斯克旗下的 Terafab 計畫團隊洽談合作,但強調一項不可妥協的底線:無論最終的資本結構或持股如何,晶圓廠必須由台積電全權主導營運。

至於後續AI6與AI6.5晶片,報導稱仍預計由台積電與三星代工,並將配置大量靜態隨機存取記憶體 (SRAM)。

馬斯克今年4月表示,兩款晶片在SRAM快取內進行運算時,有效記憶體頻寬可達DRAM頻寬的約10倍。報導另指出,兩款晶片的DRAM容量已縮減三分之一,降至144GB。

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