中國記憶體大廠長鑫科技(688825-CN) 週五（28日）晚間公布上市後首份財報，顯著轉虧為盈。此外，長鑫也正式宣布，其自主研發的新一代低功耗記憶體LPDDR6實現量產。

長鑫科技2026年上半年營運表現大幅成長，營收達1503.1億人民幣，年增873.64%；淨利潤則達776.05億人民幣，相較去年同期淨虧損23.32億人民幣。若以2026年上半年181天計算，長鑫科技平均每日獲利約4.29億人民幣。

財報同時揭露，公司自主研發的LPDDR6低功耗記憶體產品進展。長鑫科技表示，LPDDR6相較前代LPDDR5X在性能方面全面提升，峰值傳輸速率達12,800Mbps，單顆晶片最高容量16GB。

目前相關產品已完成對核心客戶的送樣驗證，並加速推進後續大規模量產。

長鑫科技29日開通微博帳號，並透過首篇貼文宣布LPDDR6正式量產，且將由小米18 Fold新款摺疊旗艦手機率先搭載。

小米(01810-HK) 創辦人雷軍隨後發文祝賀，形容相關進展「非常了不起」。

此外，小米自研玄戒O3也將成為首款支援長鑫LPDDR6的平台，並由小米18 Fold率先導入。

這項進展也被視為中國記憶體業者在新一代行動記憶體市場的重要突破。根據長鑫科技披露的資訊，該公司的LPDDR6目前已成為全球首批宣布實現量產並進入終端商用的相關產品。

在CES 2026期間，三星電子與SK海力士分別展示1b-LPDDR6及1c-LPDDR6工程樣品；SK海力士3月則宣布完成1c-LPDDR6完整研發驗證，峰值速率達14,400Mbps，功耗較LPDDR5X降低逾20%。

兩家公司原先均規畫在2026年下半年啟動量產，但目前尚未完成量產。相較之下，長鑫LPDDR6率先進入量產階段，雖然峰值速率仍低於SK海力士的產品，但已顯示其在高階LPDDR行動記憶體市場具備競爭力。

更值得注意的是，玄戒O3首發支援長鑫LPDDR6，代表中國低功耗記憶體開始參與新一代旗艦SoC的平台驗證與商業化導入。

過去中國LPDDR產品多是在海外SoC平台規格確定後，再進行後續適配；此次長鑫則從較早期階段便與玄戒O3展開協同調試，顯示其角色逐步從單純供應商，向更深入參與硬體平台開發轉變。

DRAM供給緊張延續　長鑫量產不代表記憶體價格下跌

分析指出，儘管LPDDR6正式量產，並不代表全球記憶體價格將因此立即回落。

長鑫科技在財報中指出，2026年下半年全球DRAM市場供給緊張的格局預計仍將延續。

公司表示，DRAM是現代記憶體產業的重要產品，伺服器、智慧手機、個人電腦等主要終端，以及智慧汽車、智慧穿戴裝置等新興應用快速發展，都持續推升DRAM需求。

從供應端來看，三星電子、SK海力士及美光科技目前仍占據全球DRAM市場大部分市占率，而中國同樣是全球主要DRAM需求市場之一，為中國本土記憶體廠商提供進一步發展空間。

DRAM產業本身具有高度週期性，市場供需變化會直接影響產品價格與業者獲利。

回顧近年市場走勢，DRAM產業在2023年上半年經歷深度下行週期，2023年下半年開始快速回暖，2024年產品價格整體回升。

到了2025年，隨著全球算力需求快速成長，加上主要記憶體廠商進行產能配置，DRAM市場轉為供不應求，價格明顯上漲。

2026年上半年後，全球DRAM供給緊張情況持續，產品價格進一步走高。

在記憶體價格持續上漲及LPDDR6逐步量產的背景下，長鑫科技下半年營運表現也因此受到市場關注。