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三大記憶體廠2027年產能提前售罄 恐成史上最缺一年

鉅亨網編輯林羿君 綜合報導
三大記憶體廠2027年產能提前售罄 恐成史上最缺一年。(圖:shutterstock_
三大記憶體廠2027年產能提前售罄 恐成史上最缺一年。(圖:shutterstock_

AI 浪潮持續推升記憶體需求,全球記憶體市場正迎來前所未有的結構性短缺週期。業界人士透露,三星電子 (005930KS) 、美光科技 (MU-US) 及 SK 海力士 (000660KS) 的 DRAM 與高頻寬記憶體(HBM)2027 年全年產能已提前完成分配,涵蓋長期供貨協議大客戶及部分中小型買家。

不僅 DRAM 供應提前被預訂,三星電子、美光及 SanDisk 的 NAND Flash 2027 年全年產能也已基本預售一空,鎧俠與 SK 海力士預計最晚於 2026 年 8 月底前完成產能分配。

市場人士指出,尚未提前鎖定產能的買家,2027 年恐面臨「無貨可買」的困境,而雲端服務供應商(CSP)及 AI 大廠的採購優先順序,也將持續壓縮手機、PC 等消費性電子產品的記憶體供應。

此次記憶體產能提前售罄,也印證 SK 集團此前對市場的警告,即 2027 年可能成為記憶體產業史上供需失衡最嚴重的一年。

SK 集團會長崔泰源指出,2027 年 AI 半導體需求預估將較 2026 年成長 60% 至 100%,整體儲存需求增幅可能達 50% 至 60%,供需缺口恐持續擴大。

AI 需求主導記憶體產能分配

此波記憶體供應緊張的核心驅動力,來自 AI 基礎建設快速擴張。各大記憶體原廠近期陸續與主要客戶簽署 3 至 5 年期長期供貨協議(LTA),使記憶體市場逐漸脫離過去傳統景氣循環模式,轉向由供應商掌握主導權的長期供應格局。

威剛 (3260-TW) 董事長陳立白表示,三星、美光及 SK 海力士三大記憶體原廠 2027 年產能早已售罄,其中 HBM 與 AI 伺服器相關應用將占 DRAM 產能約七成。在總產能有限的情況下,原廠優先滿足雲端服務商及 AI 企業需求,使手機與 PC 廠商可取得的 DRAM 配額受到壓縮。

業界估計,記憶體原廠實際可提供的產能,通常僅能滿足買方原始需求目標的六至七成,因此手機與 PC 廠商 2027 年取得的 DRAM 配額,預期將較 2026 年明顯減少。

NAND 供需仍存變數 企業級儲存需求支撐市場

相較於 DRAM 市場高度集中於三星、美光及 SK 海力士三大廠,NAND Flash 供應商數量較多,買方仍保有一定議價空間,因此市場對 2027 年 NAND 供需走向仍存在不同看法。

部分市場觀點認為,隨著新產能陸續釋出,加上消費性需求疲弱,2027 年下半年 NAND 市場供需可能逐步趨於寬鬆,價格壓力也可能升高。

不過,業界人士對此持保留態度,認為企業級固態硬碟(SSD)需求仍將維持強勁,企業級儲存需求可望支撐 NAND 市場,供應緊張情況可能延續至 2028 年,因此原廠擴產效果不宜過度樂觀。

記憶體採購模式轉變 提前鎖定產能成新常態

隨著記憶體供應持續吃緊,市場採購模式也出現結構性轉變。供應鏈人士透露,由於 2026 年產能供不應求情況延續,多家雲端服務商與品牌廠商開始提前爭搶未來產能,並配合原廠採取預付訂金模式完成交易。

目前產能分配範圍不僅涵蓋簽署長約的大型客戶,也包括部分已取得 2026 年供應額度、但原廠未必願意簽訂長約的中小型買家。各家記憶體廠將依內部協調結果,通知客戶可取得的產能額度。

業界人士指出,7 月至 8 月是記憶體產能分配的重要窗口期,但部分廠商並未掌握相關資訊,主要原因是市場參與者擔心消息公開後,將吸引更多買家加入競爭有限產能。

價格漲幅趨緩 高價環境恐成常態

儘管 2027 年記憶體供應仍將維持緊張,但價格走勢可能不會完全複製 2026 年的快速飆升。業界普遍認為,由於主要產能已提前完成分配,DRAM 與 NAND 最終價格仍需接近實際出貨時間才能確認,2027 年價格漲幅有望較 2026 年的大幅上漲趨於溫和。

不過,「價格高位常態化」恐成為記憶體市場的新常態。由於記憶體原廠掌握產能分配主導權,市場預期供應商仍將維持較強報價能力,整體供應緊張與終端成本壓力短期內難以明顯緩解。

對於尚未完成產能鎖定的廠商而言,未來可能面臨以更高價格採購,甚至供應不足的風險。2027 年記憶體市場競爭焦點,將不只是價格,而是能否取得足夠產能。

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