全球記憶體市場再度掀起漲價潮。業界分析，人工智慧（AI）伺服器與高頻寬記憶體（HBM）持續蠶食既有產能，導致傳統記憶體晶片供應日趨吃緊，這波緊縮行情恐怕還沒走到盡頭。

根據《韓聯社》報導，市調機構 TrendForce 旗下 DRAMeXchange 最新統計顯示，個人電腦常用的 DDR4 8Gb 現貨均價於 7 月攀升至 24 美元，單月大漲 14.3%，寫下 2016 年 6 月建立統計以來的歷史新高；而 128Gb MLC NAND 快閃記憶體均價也首度站上 30 美元關卡，同樣刷新紀錄。

TrendForce 並預估，隨著 AI 伺服器與 HBM 需求持續擴張、排擠傳統 DRAM 產能，市場供不應求的局面恐將延續至 2027 年。

相較之下，NAND 市場則有望隨新增產能陸續開出，於 2027 年下半年出現改善曙光。

隨著各大廠商加速轉進高層數產品，以及新廠產能逐步釋放，位元供給成長將超越 2026 年。

TrendForce 預計 2026 年 NAND 市場將錄得 4-5% 的供給缺口，但 2027 年下半年供需平衡將由負轉正，供應緊張將逐步緩解。

不過，消費性電子終端需求持續走弱構成關鍵變數。 TrendForce 預測 2026 年全球智慧型手機產量將年減 15 到 20%，筆電出貨量預計將下降約 10%，2027 年仍可能持續小幅收縮。

智慧型手機和筆電合計仍佔 NAND 總需求的近 40%，消費市場的疲軟是 NAND 供需反轉的重要推手。

年內飆漲逾倍 DRAM、NAND 漲勢驚人

回顧今年以來的價格走勢，記憶體漲勢之猛令業界咋舌。

DDR4 8Gb 均價從 1 月的 11.5 美元一路狂飆至 7 月的 24 美元，短短半年多累計漲幅逾一倍，達 109%。

其中 4 月到 5 月間，價格一口氣從 16 美元跳升至 20 美元，進入第三季後更持續改寫歷史高點。

NAND 市場的漲勢則有過之而無不及。128Gb MLC NAND 均價自 1 月的 9.46 美元，一路衝上 7 月的 30.05 美元，累計漲幅高達 218%。

值得留意的是，部分 SLC NAND 產品 7 月價格單月漲幅達 35% 至 51%，遠遠超越 MLC NAND 約 4% 至 8% 的漲幅，凸顯不同產品線之間的供需落差正在擴大。

不過，隨著一年多來的漲價已大幅推升下游採購成本，TrendForce 也觀察到，終端客戶的採購態度已轉趨保守，追高意願下降。

TrendForce 預計第三季 PC DRAM 合約價較上季上漲 13 到 18%，漲幅較第二季（58 到 63%）顯著收窄。

AI 伺服器成漲價元兇 供應商掌握談判優勢

這波漲價潮的根本原因，仍出在供給端的結構性轉變。

隨著 AI 伺服器需求爆發式成長，各大記憶體廠商紛紛將產能優先投入毛利更高的 HBM、伺服器用 DRAM，以及高層堆疊的 3D NAND 產品，大幅壓縮傳統 PC 用 DRAM 與成熟製程 NAND 的供應。

此外，微軟 (MSFT-US) 、亞馬遜 (AMZN-US) 、Alphabet(GOOGL-US) 和 Meta(META-US) 等全球四大雲端運算巨頭持續擴大 AI 基礎設施投資，HBM 和伺服器 DRAM 需求不斷創造新高。

在 DRAM 供不應求的格局下，下游客戶已與三星電子 (KR005930) 、SK 海力士 (000660KS) 、美光科技 (MU-US) 簽訂了多年長期協議，優先鎖定產能供應。目前 HBM 產能已幾乎全數售罄至 2026 年底，2027 年大部分產能也已提前被主要客戶預訂。

同時，AI 已經把記憶體晶片從「價格競爭」推向「產能與技術競爭」。這不是短期供需失衡所造成的波動，而是 AI 時代資源重新分配所帶來的結構性改變。

記憶體產業已徹底擺脫過去幾年「價格戰」、「庫存過剩」、「虧損競爭」的舊週期，如今市場討論的不再是誰降價，而是誰還能拿到貨。

TrendForce 預期，伺服器產品未來仍將持續吸納 DRAM 產能，個人電腦用 DRAM 供應將更加緊繃。

儘管筆電售價上漲已開始抑制終端買氣，但在供不應求的態勢下，供應商在價格談判桌上仍佔有明顯優勢。

NAND 市場同樣呈現類似的結構性轉變。廠商持續將產能向企業級固態硬碟（SSD）及高層 3D NAND 傾斜，導致傳統 NAND 產品供應持續偏緊。

其中，庫存水位偏低的 SLC NAND 供需最為緊繃，價格表現明顯強於 MLC 產品。SLC NAND 廣泛應用於汽車電子、網通設備及工業控制等領域。

投資人該如何佈局？

分析指出，隨著 AI 伺服器與高頻寬記憶體（HBM）需求持續攀升，全球三大記憶體廠，包括三星電子、SK 海力士與美光，仍是最直接的受益族群。三家公司市值皆已突破一兆美元，創下半導體產業新里程碑。

其中，SK 海力士憑藉 HBM 技術與量產優勢，持續穩居市場龍頭，目前市占率約 58%，訂單能見度已延伸至未來數年。

三星則握有全球最大的 DRAM 與 NAND Flash 市場佔有率，並計劃在 2026 年進一步提高記憶體事業資本支出，以擴充先進產能。

美光則持續調整產品組合，目前約 70% 產能已投入 HBM 與高階伺服器記憶體，以因應 AI 市場需求。

此外，隨著三大原廠將先進製程與產能集中投入 HBM，高階以外的 DDR3、DDR4、LPDDR，以及車用、工業控制等成熟產品，反而出現供應相對吃緊的情況，也為其他業者帶來切入機會。

其中，中國 DRAM 製造商長鑫科技 (688825-CN) 近年即快速擴張，全球市占率已由 2025 年第一季約 3%，提升至 2026 年同期約 7.7%，躍居全球第四大 DRAM 供應商，顯示成熟製程市場仍具成長潛力。

分析指出，隨著三星、SK 海力士、美光持續加大 HBM 及先進 DRAM 產能投入，中國長鑫儲存、長江儲存擴產節奏同步加快，平台化半導體設備商將率先受益。