《韓聯社》報導，韓國三星電子 (Samsung Electronics) 共同執行長暨晶片事業主管全永鉉 (Jun Young-hyun) 週一 (8 日) 透露，他已與黃仁勳會面，雙方針對下一代高頻寬記憶體 (HBM) 技術及長期合作計畫進行深入討論，合作範圍涵蓋 HBM4E、HBM5 以及晶圓代工業務。

輝達執行長黃仁勳訪韓行程持續受到市場關注。黃仁勳除與當地科技巨頭高層交流外，也積極布局 AI 供應鏈合作。

全永鉉週一在接受媒體訪問時表示，三星與黃仁勳長期維持密切合作關係，雙方迄今進行過許多富有成果的討論。

全永鉉指出，此次會談重點聚焦於下一代 HBM 產品開發與供應合作，包括未來 HBM4E 與 HBM5 技術路線圖，同時也討論晶圓代工領域的合作機會。

HBM 是 AI 伺服器與加速器不可或缺的關鍵元件，負責提供高速資料傳輸能力，以支援大型 AI 模型訓練與推論需求。隨著全球 AI 資料中心快速擴張，HBM 已成為記憶體產業競爭最激烈的戰場之一。

全永鉉表示，在短期目標方面，三星將全力確保 HBM4 產品供應，以滿足輝達需求。輝達目前掌握全球 AI 加速器市場主導地位，也是各大記憶體廠爭相合作的重要客戶。

近年來，SK 海力士憑藉 HBM 產品率先打入輝達供應鏈，並成為其最主要的 HBM 供應商。面對外界關注黃仁勳先前曾表示 SK 海力士仍將是輝達最大的記憶體合作夥伴，全永鉉回應，三星將專注做好自身工作，並透過實際成果證明競爭力。

市場認為，三星高層此次直接與黃仁勳討論 HBM4E 與 HBM5 等下一代產品合作，顯示三星正積極追趕 SK 海力士在 AI 記憶體市場的領先優勢，並試圖在未來 AI 供應鏈版圖中爭取更重要地位。