高盛 (GS-US) 於 7 月 28 日舉辦韓國記憶體產業專家網絡研討會，並於 29 日發布會議紀要。與會專家普遍認為，在 AI 伺服器需求持續帶動下，傳統 DRAM 價格今年下半年仍將維持強勁漲勢，高頻寬記憶體 (HBM) 明年更有大幅調漲、甚至翻倍的可能性。隨著長期供貨協議 (LTA) 覆蓋比例持續提高，記憶體廠商的定價能力與獲利能見度同步改善，高盛也因此維持對三星電子的買進評級。

根據高盛紀要，專家預估 2026 年第三季傳統 DRAM 價格將較前一季成長「雙位數百分比」，與近期現貨市場價格強勁反彈的趨勢一致。進入第四季，在供應仍偏緊的情況下，DRAM 價格仍有機會再次出現雙位數季增。

專家指出，目前供給端並未出現大幅擴產，而需求端則持續受 AI 伺服器建置帶動，使 DRAM 市場維持供不應求格局，價格自然易漲難跌。

相較於傳統 DRAM，HBM 的價格展望更為樂觀。專家認為，隨著一般 DRAM 價格持續上漲，HBM 明年存在大幅調漲、甚至翻倍的空間。

高盛則預估，三星電子 HBM 產品 2027 年平均售價將較前一年大幅成長 87%，明顯高於彭博彙整市場分析師預估的 52%，顯示高盛對 HBM 供需前景比市場更為樂觀。

高盛指出，HBM 價格能否維持強勢，關鍵在於長期供貨協議的約束能力。專家表示，目前 LTA 通常包含高額預付款、「要麼提貨、要麼付款」(take-or-pay) 條款，以及提前解約違約金等內容，使客戶簽約後退出成本大幅提高。

目前全球已有超過一半的伺服器 DRAM 供應量透過 LTA 鎖定，專家預期未來覆蓋比例還將持續提高。相較過去景氣循環，本輪長約約束力更強，可提高廠商收入能見度，也讓供應商在價格談判上掌握更多主導權，有助支撐三星電子未來獲利。

對於市場關注的中國記憶體產能擴張，高盛引述專家看法指出，中國廠商雖積極增加產能，但短中期內仍難以對全球領導廠商形成實質威脅。

專家認為，中國業者目前在製程技術、產品品質及生產良率方面，與全球主要記憶體供應商仍存在差距，因此新增產能未必能快速轉化為有效供給，短期內技術門檻仍難突破。

另一方面，雖然今年全球記憶體產能擴張速度預料將高於歷史平均，但實際供給增幅未必同步增加。專家指出，由於 HBM 製造需要占用更多 DRAM 晶圓，每單位 HBM 消耗的晶圓數高於一般 DRAM，因此即使整體晶圓產能增加，真正可供市場使用的 DRAM 位元 (bit) 供給增速仍可能低於歷史平均。

高盛認為，這也是目前記憶體市場供給持續吃緊的重要原因。表面上產能持續擴充，但實際有效供給並未同步增加，使價格獲得結構性支撐。

在技術發展方面，市場普遍將混合鍵合 (hybrid bonding) 視為下一代 HBM 的重要技術。不過，專家對其商業化時程仍持保守態度。

專家指出，隨著 HBM 堆疊層數持續增加，現有封裝鍵合技術將逐漸面臨瓶頸，但混合鍵合要達到大規模量產所需的良率仍需相當長時間，因此短期內不太可能全面取代既有技術。

未來記憶體廠商預料將同步發展包括無助焊劑鍵合 (fluxless bonding) 等不同封裝方案，並逐步導入混合鍵合技術，而非一次全面轉換。

基於上述產業展望，高盛維持對三星電子的買進評級，普通股 12 個月目標價維持 48 萬韓元，優先股目標價維持 36 萬韓元。

高盛表示，三星電子近來在 HBM 產品開發已取得具實質意義的進展，加上公司有望提高股東回饋，仍看好其中長期投資價值。不過，高盛也提醒，若全球記憶體供需快速惡化、智慧型手機業務獲利能力大幅下滑，或行動 OLED 市占率流失，都可能成為三星未來營運與股價的重要下行風險。