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記憶體戰爭升級!美企瘋搶韓HBM人才 輝達開出逾800萬年薪 美光2倍薪+3億韓元挖腳

鉅亨網編譯陳韋廷
記憶體戰爭升級!美企瘋搶韓HBM人才 輝達開出逾800萬年薪 美光2倍薪+3億韓元挖腳(圖:shutterstock)
記憶體戰爭升級!美企瘋搶韓HBM人才 輝達開出逾800萬年薪 美光2倍薪+3億韓元挖腳(圖:shutterstock)

隨著 AI 算力需求爆發,記憶體在半導體領域的戰略地位驟升,美國科技巨頭正掀起針對南韓記憶體人才的高薪搶人大戰。

根據外媒報導,輝達、蘋果、聯發科、高通等科技大廠近期密集在南韓進行定向招聘,目標直指三星電子、SK 海力士的記憶體工程師。

輝達本月發布 HBM 開發工程師職位,基本年薪達 25.875 萬美元 (約 818 萬台幣),蘋果上月招攬 NAND 產品工程師,年薪 30.56 萬美元 (約 965 萬台幣),聯發科也開出約 26 萬美元找 HBM 工程師,高通同樣開始在南韓招募 3D DRAM 研發人員。

美國企業攻勢更趨激進,谷歌、博通在矽谷擴大招募 HBM 人才,分別招募性能評估工程師與高頻介面設計專家,特斯拉執行長馬斯克親自轉發南韓分公司 AI 半導體設計師招聘,美光自去年下半年起也在南韓挖角,據傳為核心 HBM 專家開出現有薪資兩倍及 3 億韓元簽約的優資條件。

面對人才流失危機,三星與 SK 海力士被迫加碼激勵。SK 海力士今年初發放創紀錄獎金,金額為月薪的 2964%,三星半導體部門則以年度總薪資 47% 的獎金回應,均為 AI 記憶體熱潮以來最高水平。

業界分析指出,這場人才競爭本質是 AI 算力競賽的延伸,南韓記憶體巨頭必須在技術研發與留住人才之間尋找平衡。

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