TrendForce 今 (13) 日指出，2026 年 DRAM 與 NAND Flash 供應商的資本支出合計將達 835 億美元，年增 11.6%，但整體位元產出成長仍有限。主要因 DRAM 和 NAND Flash 產業的投資重心正逐漸轉變，從單純地擴充產能，轉向製程技術升級、高層數堆疊、混合鍵合以及 HBM 等高附加價值產品。

其中，DRAM 產業的資本支出在 2025 年預計將達到 537 億美元，預計在 2026 年進一步成長至 613 億美元，年增率達 14%。NAND Flash 部分，資本支出在 2025 年預計為 211 億美元，2026 年預計小幅增長至 222 億美元，年增約 5%。

在 DRAM 各供應商中，美光 (MU-US) 被認為是最積極的廠商，其 2026 年資本支出預計達 135 億美元，年增 23%，主要專注於 1 gamma 製程滲透和 TSV 設備建置。SK 海力士增幅也十分顯著，2026 年預計為 205 億美元，年增 17%，以應對 M15x 的 HBM4 產能擴張。三星則預計投入 200 億美元，年增 11%，用於 HBM 的 1C 製程滲透及小幅增加 P4L 晶圓產能。

TrendForce 指出，目前在無塵室空間也有不足供應的情況，檢視所有 DRAM 供應商的產能空間，僅三星與 SK 海力士有小幅擴產的機會，而美光則需要等待其美國 ID1 新廠落成，最快 2027 年才能有產出，因此後續上修的資本支出對 2026 的位元產出貢獻皆非常有限。

NAND Flash 供應商中，Kioxia/SanDisk 和長江存儲因沒有 DRAM 業務，被認為是最積極擴大產能的廠商。Kioxia/SanDisk 預計投入 45 億美元，年增 41%，加速 BiCS8 生產並投資 BiCS9 研發。

美光 2026 年目標是微幅增加 NAND Flash 產能，並專注於 G9 製程和企業級 SSD 業務，預計資本支出年增幅達 63%。相較之下，三星和 SK 海力士 / Solidigm 則將縮減或限制 NAND Flash 資本支出，優先將投資轉向 HBM 和 DRAM 領域。

TrendForce 分析，此次 NAND Flash 產業需求的爆發，主要受 AI 對儲存容量需求的急速攀升，以及 HDD 供應不足導致雲端服務供應商 (CSP) 轉單所帶動。此現象屬於結構性短缺，而非短暫的市場波動。

然而，過去數年產業經歷多次景氣循環，使部分廠商在資本支出與擴產策略上趨於保守。隨著 2026 年資本支出重心放在製程升級和導入 hybrid-bonding 而非擴產，將導致供應位元增幅有限，TrendForce 認為，NAND Flash 市場的供不應求狀態預計將延續 2026 年全年。