全球記憶體晶片需求前景持續黯淡，根據研調機構 Trendforce 最新報告，DRAM 和 NAND 快閃記憶體上月價格雙雙下跌，該機構更預測今年第四季價格會上漲的只有高頻寬記憶體 (HBM)，一般 DRAM 的價格料將停滯不前。

報告指出，今年第四季通用 DRAM 價格料將最多季增 5%，甚至可能零成長，因經濟衰退導致消費者需求放緩，加上中國記憶體製造商供應增加，但包括 HBM 在內的所有 DRAM 平均價格，料將季增 8% 至 13%。

TrendForce 預測，HBM 佔 DRAM 總營收比重將從去年的 8% 增加到今年的 21%，明年則將達到 30% 以上。

分析公司 DRAMeXchange 指出，9 月 DDR4 8Gb 1Gx8 模組價格下跌 17.07% 至 1.7 美元，自去年 10 月以來穩步上漲的 DRAM 則在今年 8 月首次出現下跌，跌幅為 2.38%，128Gb 16Gx8 MLC 同期價格也下降 11.44%。

由於消費者正在向下一代標準過渡，導致市場步伐短時間內放緩，消費類 PC 市場的興趣有所下降。TrendForce 指出，PC 製造商的庫存仍然很高，這意味著 PC 需求尚未恢復，今年第三季 PC 出貨量成長 4.4%，低於預期，但庫存中的大部分都是 DDR4 產品，而不是較新的 DDR5。

目前，記憶體廠商仍處於庫存調整階段，較舊的 DDR4 標準在市場上很難銷售，DDR5 目前需求量則很大。雖然 DDR5 正在成為業內主流，但在取代 DDR4 的主導地位上還有很長的路要走。

業界對未來市況判斷也出現分歧。摩根士丹利日前出具研究報告看壞 DRAM 市況，明年 HBM 市場也可能供過於求，也有機構預估明年記憶體市場在 AI 帶動下將大幅成長。 

廠商情況也出現分化，在美光科技 (MU-US) 發出亮眼財報的同時，更傳出記憶體龍頭金士頓已啟動降價策略。

與此同時，記憶體產業發展還受到新技術的影響。在高端 HBM 需求暢旺的同時，DRAM 和 NAND 快閃記憶體等開始日益面臨到嚴峻挑戰，新興技術如 FeRAM、ReRAM、MRAM 和 PCM 等則被寄予厚望。這些新興技術的發展和應用，將對未來的記憶體市場產生深遠的影響。