SK 海力士社長金柱善 (Kim Ju Seon) 今 (4) 日在 SEMICON 大師論壇發表演說，會中指出，8 層 HBM3E 產品已是市場上最具領導地位的產品，預計本月底將開始量產 12 層 HBM3E，HBM4 也將攜手台積電 (2330-TW)(TSM-US) 生產，預期將達到無與倫比的地位。

金柱善指出，為了使 AI 發展到通用生成式 AI 水準，須先解決功耗、散熱和記憶體頻寬等難題，最大問題之一就是功耗，為此，SK 海力士與合作夥伴一起開發 AI 所需的高效記憶體，具備高容量和高性能，並最大限度地減少功耗與熱量產生。

針對高頻寬記憶體 (HBM)，金柱善說，SK 海力士在 HBM 產品擁有全球最高的市占率，HBM3E 也是現今市面上最具主導地位的產品，預計本月就會推出 12 層堆疊的 HBM3E 產品，以因應 AI 伺服器的龐大需求。

此外，SK 海力士也著手進行下一代產品 HBM4 研發，將配合客戶量產時程供貨，預期將是首款將基礎裸晶 (Basedie) 採邏輯製程生產的產品，看好透過自家在 HBM 的技術與台積電邏輯製程代工相結合，將在創造下一代無與倫比的產品。

除了 HBM，SK 海力士看好 AI 伺服器與普通伺服器相較需要四倍以上的記憶體容量，也提供基於 TSV 技術的伺服器 256GB DIMM，更預計推出 120TB 的 QLC 大容量 eSSD 產品。

SK 海力士也瞄準終端裝置，推出 LPDDR5T，數據處理速度可達每秒 9.6Gb(Gigabit，千兆比特)，同時支持高達 40Gbps 的 GDDR7 也準備進入量產階段，並正開發具備壓倒性頻寬和能效的 LPDDR6。

金柱善補充，SK 海力士為滿足客戶訂單，也訂定積極擴產計畫，韓國龍仁半導體集群目前用地工程順利進行，公司計劃在此基地建設最先進的生產設施，並將以此廠為基礎與全球各個合作夥伴密切合作，同時在美國印第安那州建設先進封裝工廠和研發設施，計劃在 2028 年量產。