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摩根士丹利:明年記憶體晶片市場度過寒冬 迎來周期性需求改善

鉅亨網編譯段智恆
摩根士丹利:明年記憶體晶片市場度過寒冬 迎來周期性需求改善(圖:REUTERS/TPG)
摩根士丹利:明年記憶體晶片市場度過寒冬 迎來周期性需求改善(圖:REUTERS/TPG)

摩根士丹利本周三 (13 日) 的報告中再次上調記憶體晶片漲價預期,其指出從修正後的每股獲利來看,美股記憶體股現在較上一個周期要便宜得多,記憶體晶片行業將進入周期性成長加速、需求明顯提高的時期。

大摩在報告中指出,下游補庫存,供給遠低於需求,明年第一季記憶體晶片價格有望大幅上漲:「我們預估 DRAM 和 NAND 價格將在明年第一季上漲 20%,最新的預期較此前增幅翻倍,此前的預期是 DRAM 價格漲幅為 8% 至 13%,NAND 價格漲幅為 5% 至 10%。」

下游客戶已開始補庫存,中國智慧手機 OEM 廠明年第一季訂單量將大幅增加,電腦 ODM/ OEM 也在建立庫存。而智慧手機製造商重新補庫存將帶來價格的上漲,庫存將恢復到正常水準 (移動 DRAM 需要 4 至 6 周,NAND 需要 6 至 7 周)。

從供需方面來看,記憶體晶片商在大幅減產之後,產量遠遠低於需求,隨著需求的改善,明年的價格上漲前景將更加明確。

進一步來看,大摩指出,人工智慧 (AI) 需求將進一步提振記憶體晶片價格:「我們還需要考慮到明年 HBM 晶片 100 億美元市場規模成長的影響,以及 AI 需求的突然出現將導致供應短缺延長。」

此外,雖然 AI 應用程式大部分都部署在雲端,但從 2024 年開始,邊緣運算需求將變得越來越普遍 (行動 AI),並可能逐漸進入智慧手機升級周期。

整體來看,大摩認為,隨著每股獲利年增加速,記憶體股往往表現優異,現在剛剛進入周期中期 / 樂觀階段,DRAM 現貨價格年增為 - 16%,距離峰值水準仍有距離。而拋開估值不談,記憶體晶片周期已經從今年第一季的低點恢復,進入明年將進一步改善。

根據最新的產業數據,大摩上調三星和 SK 海力士的每股獲利預期,並預估海力士將在第四季實現獲利,並在 HBM 市占成長和大宗商品價格大幅改善的推動下,進入獲利周期,到明年底 / 2025 年初將達到創紀錄的水準。三星則將通過記憶體漲價快速提高利潤率,同時或將從融入 AI 技術的 S24 edge 產品中受惠,該產品將在明年第一季推出。
 

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