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全球運算需求指數成長 英特爾公開多項最新技術迎戰

鉅亨網記者劉玟妤 台北
英特爾公開多項最新技術。(圖:英特爾提供)
英特爾公開多項最新技術。(圖:英特爾提供)

全球對運算需求呈指數型成長,英特爾 (INTC-US) 大秀多項最新技術迎戰。英特爾資深副總裁暨元件研究部總經理 Sanjay Natarajan 表示,現在正進入製程技術的埃米時代 (Angstrom era),加上英特爾未來四年五節點的計畫,持續創新更顯重要,希望能為下一代行動運算實現進一步的擴展及高效能電力傳輸。 

英特爾展示業界首創的 3D 堆疊 CMOS(互補金屬氧化物半導體),結合晶片背部供電接觸技術。另外,英特爾領先市場,成功在同一片 300mm(12 吋) 晶圓上,整合矽電晶體和 GaN 電晶體,且性能良好。 

英特爾觀察,全球對運算的需求呈指數型成長,而電晶體微縮及晶片背部供電有助於滿足大量的運算需求。英特爾抓準趨勢,元件研究團隊突破工程限制,透過推疊電晶體,提升晶片背部的供電,實現電晶體微縮、改善性能,同時證明不同材料製成的電晶體,可以整合在同一晶圓上。 

英特爾指出,包括 PowerVia 晶片背部供電技術、用於先進封裝的玻璃基板和 Foveros Direct 封裝技術,這些技術皆來自英特爾元件研究團隊,預計將在 2030 年前投入生產。 

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