隨著電動車市場持續成長，帶動第三代半導體碳化矽 (SiC) 等高階功率半導體需求，但目前產業供給仍在爬坡階段，業者預期，在 IDM 廠陸續將 6 吋矽晶圓相關產線轉至 SiC 下，加上許多大廠擴產陸續到位，明年中旬 SiC 供應可望顯著增加。

據資策會 MIC 預估，今年全球電動車規模可到 922.1 萬輛，年增逾 48%，但關鍵第三代半導體碳化矽與氮化鎵 (GaN) 供應持續吃緊，交期 42 週以上。隨著電動車帶動 SiC 功率半導體元件與模組需求，預估 2025 年，全球 20% 電動車將導入 SiC 功率元件與模組。

碳化矽產業目前由 IDM 廠獨霸一方，其中美國的 Wolfspeed 居領導地位，在 SiC 基板、磊晶等材料及晶圓製造領域，市占率均超過 6 成，日本有羅姆半導體、歐洲則有意法半導體與英飛凌；且從上游材料長晶到加工製程等設備，IDM 廠均是自行開發，跨足設備製造、基板及磊晶、設計與晶圓製造等產業鏈各環節。

由於碳化矽基板不僅占功率元件成本比重高，且為關乎產品品質的最大關鍵，以 SiC MOSFET 元件來說，光是 SiC 晶圓本身，就已決定 60% 的 SiC MOSFET 元件成敗，長晶也因此成為攸關廠商產品競爭力的關鍵製程環節。

為加速推進碳化矽業務發展，環球晶 (6488-TW) 也宣布將自行研發碳化矽長晶爐，研發 6 吋及 8 吋共用長晶爐，目前已有原型機台，預估仍須 2 年時間開發，屆時可望加速推進碳化矽晶圓生產動能。

由於近來 6 吋以下晶圓需求較弱，許多 IDM 廠相繼將矽基半導體相關產能，轉至 6 吋碳化矽，加上 Wolfspeed、羅姆半導體、意法半導體等大廠積極擴產，隨著相關產能陸續到位，明年中旬後，碳化矽市場供給可望增加許多。