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〈台亞股東會〉第三代半導體布局邁大步 SiC、GaN功率元件明年送樣

鉅亨網記者張博翔 台北
台亞總經理衣冠君(圖:業者提供)
台亞總經理衣冠君(圖:業者提供)

台亞 (2340-TW) 今 (23) 召開股東會,總經理衣冠君表示,除了感測元件與不可見光業務外,公司持續積極布局第三代半導體,旗下積亞半導體碳化矽 (SiC) 廠持續建置中,今年也針對氮化鎵 (GaN) 進行設備、技術投資,預計 SiC、GaN 功率元件產品可望在明年陸續向客戶送樣。

台亞表示,過去在磊晶及分離器件製造技術上已有相當深厚的基礎,將擴大加強與上游 IC 設計公司及下游封測、產品的合作,加上公司磊晶、後段製程、封測的資源,期許成為類 IDM 廠,可於短時間内製作出高電子遷移率電晶體樣品。

衣冠君表示,SiC 方面主要由旗下積亞所布局,預計未來將會先完成小型產線生產功率元件,年產能約 3000 片,而台亞將負責 GaN 功率器件,產品將主攻充電樁市場,比 SiC 的元件相比有更低的功耗,未來將結合 GaN 與 SiC,發展出高頻、高效的射頻器件及模組。

市場也期待台亞未來第三大半導體產品可望出給日亞化,衣冠君表示,日亞化在第三代半導體具備技術優勢,目前主要在光電產品合作,公司將持續布局第三代半導體,期望最終能出貨日亞化,進一步進入歐洲車廠供應鏈。

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