第三代化合物半導體已成為全球戰略物資之一，砷化鎵晶圓代工廠宏捷科 (8086-TW) 也積極布局著墨，主要以 GaN on SiC 為主，去年引入中美晶 (5483-TW) 集團資源加速開發，不過今年以來產能吃緊，宏捷科預期，第三代化合物半導體 2023 年開始對營運有貢獻。

宏捷科原預期，第三代化合物半導體最快 2022 年下半年可望有貢獻，但今年上半年產能滿載，雖然新產能陸續開出，但開發進程上稍有遞延。

應用方面，宏捷科指出，以 GaN on SiC 產品為主，在應用功率上著重以小型基站、基地台設備為主，未來也不排除跨入衛星通訊領域市場。

為加速第三大化合物半導體開發，宏捷科去年辦理現增，引入中美晶持股約 22.53%，計畫透過與集團其他夥伴如環球晶 (6488-TW) 等合作，透過上下游材料供應互補，加速第三代化合物半導體開發進程。

觀察各代化合物半導體並無取代關係，第一代半導體是以矽 (Si) 為主，應用涵蓋運算、儲存、感測等，第二代則是砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP) 等三五族，主要用於資料傳輸，近期話題火熱的第三代則以氮化鎵 (GaN)、碳化矽 (SiC) 等具備高速、抗高溫高壓的化合物為主。