週三 (19 日) 外媒根據韓媒報導指出，三星已經決定在德州奧斯丁興建 5 奈米晶圓代工廠，同時投資金額較之前報導的 170 億美元上調 10 億美元，至 180 億美元，而量產時程不變仍是以 2024 年為目標。

三星未來在德州新廠將配備基於 5nm EUV 的生產線，也將負責製造三星未來的高階晶片組。目前三星兩款旗艦晶片組 Exynos 1080 和的 Exynos 2100，均是使用 5nm EUV 工藝製造。一旦成真，這座晶圓代工廠將是三星在海外興建的首座 5 奈米廠。

另一方面，外媒 ETNews 指出，三星的 5nm EUV 晶圓代工將建在現有的 14 奈米廠旁，如下圖的衛星圖像中的黃色區塊所示。

而三星這項重大的投資案有很大的機率在韓國總統文在寅出訪美國與美國總統拜登會面時宣布。根據韓聯社報導，文在寅於今日下午啟程赴美，將於美國東時間 21 日下午在白宮與拜登進行會談。報導還稱，三星、LG、SK 等企業負責人將隨行訪問。

此外，美國 520 億美元晶片緊急撥款提議已取國會批准。該提案包含 495 億美元的緊急補充撥款，為今年的美國《國防授權法案》（National Defense Authorization Act）中包含的晶片條款提供資金。

根據路透報導指出，該法案內含 390 億美元的生產和研發激勵，以及 105 億美元的實施計劃，包括國家半導體技術中心、國家先進封裝製造計劃和其他研發計劃。法案還有 15 億美元的緊急資金，以幫助西方國家發展替代中國電信設備供應商華為和中興通訊的設備。

面對美國針對半導體業推出的金援，赴美設廠已成為全球主要晶圓代工廠重要發展戰略項目，不光三星大動作，台積電 (2330-TW) 、英特爾 (INTC-US) 等大廠均不落人後。反映出在美國境內設廠將是這群晶圓代工業者未來搶奪美國客戶訂單的重要利器。