三星電子 (005930-KR) 計畫在 2022 年起量產 3 奈米晶片，與台積電 (2330-TW)(TSMC-US) 一較長短。據南韓業界透露，為達此目標，三星預計在美國德州奧斯汀的半導體子公司，啟動極紫外光 (EUV) 專用系統 LSI 新廠投資計畫，投資金額達 100 億美元，月產能約 7 萬片規模。

據韓媒《infostockdaily》報導，相關行業人士表示，在奧斯汀的新廠已確認將生產非記憶體半導體 (Non-memory Semiconductor) 和系統 LSI。

為追上台積電，三星近期動作頻頻，副會長李在鎔上個月更是親征歐洲，訪問荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾 (ASML) 總部，實地了解 EUV 設備生產情況，並希望確保 EUV 生產設備的取得。

先前即已傳出，三星電子目前正計畫在南韓華城、平澤以及美國德州奧斯汀等地，建立 EUV 生產體系，做為 7 奈米以下晶片生產的基地。

但韓媒的報導中，並未提到目前美國工廠的進展，包括是否已經通過美國政府的審查或已進入最終階段。

據科技媒體了解，三星在華城的 S3 Fab 和 V1 Fab 於今年春天開始運作，是公司首家 EUV 專用的工廠，平澤工廠預計製作 5 奈米晶片，於 2021 年採用，如果美國工廠按計畫推出，將是三星第 3 家 EUV 專用工廠。

目前依三星在美國子公司的網站資料，當地主要關注 28/32 奈米工藝的生產，而先進工藝最高可達 14 奈米，這並不支持使用 EUV 的尖端工藝。

美國政府此前基於國家安全考慮，要求英特爾及格羅方德等美國公司，以及台積電、三星等海外公司，要在美國設立先進的半導體工廠。台積電已與美國討論 5 奈米晶圓廠的建立，三星的部分未獲確認。