利基性記憶體製造大廠華邦電 (2344) 宣布推出新型 1.8V 2Gb NAND Flash 和 2Gb LPDDR4x 動態隨機存取記憶體 8.0mm x 9.5mmx 0.8mm 的多晶片封裝產品(以下簡稱 MCP)，積極搶攻 5G 終端設備商機。華邦電介紹，新的 W71NW20KK1KW 產品將可靠的 SLC NAND Flash 以及高速、低功耗的 LPDDR4x 動態隨機存取記憶體集成在一個單一封裝中，完整提供使用於辦公室與家庭的 5G 終端設備相關應用所需的存儲容量。

一般而言，行動式 5G 終端設備通常需要更大的記憶體，2Gb NAND / 2Gb DRAM 的記憶體容量非常適合在固定式 5G 終端設備中運行。透過 MCP 封裝組合，華邦電的 W71NW20KK1KW 使 5G 終端設備的製造商能用恰如其分的容量和較低的生產成本滿足系統需求。

過往，在通往高速寬頻網路的最後一哩路 (last mile) 多數採用有線連結的方式。預期採用 W71NW20KK1KW 達成成本最佳化的新一代 5G 終端設備將有助於消費者加速其採用 5G 以替代固定線路銅纜或光纖 xDSL。

華邦電快閃記憶體產品企劃經理黃信偉表示：「在家庭和辦公室建置固定式 5G 終端設備將是下一階段行動網路市場的成長契機，而華邦電的 2Gb + 2Gb MCP 是最理想的選擇。」

「華邦電是目前全球唯一一家擁有晶圓廠並同時生產 NAND 和 LPDDR4x 的 MCP 製造商。」W71NW20KK1KW 是一款 149 球 BGA 封裝的 MCP，由 2Gb SLC NAND Flash 和 2GbLPDDR4x 動態隨機存取記憶體組成。其中的 SLC NAND Flash 僅需 4 位元糾錯碼 (ECC) 引擎即可提供出色的耐久度和資料正確性，然而該裝置 2K Byte + 128 Byte 的頁面容量亦能支援到 8 位元糾錯碼(ECC)。

W71NW20KK1KW 的 NAND Flash 提供具有 8 位元匯流排，由 64 頁組成一個區塊，最快頁面載入時間為 25μs，一般頁面寫入時間為 250μs。LPDDR4x 動態隨機存取記憶體晶片可支援高達 1866MHz 的工作時脈，滿足 LVSTL_11 介面需求，並具有 8 個內部分區，可用於並行操作。它提供高達 4267MT/ s 的數據速率，支援 5G 通訊所需的快速資料傳輸速率。