中國記憶體晶片製造商長鑫儲存（CXMT）正式發布其最新一代 DDR5 和 LPDDR5X 產品，韓國媒體《Business Korea》隨即引述多位專家觀點指出，在記憶體晶片領域，中國與韓國的技術差距正在急速縮小，目前在通用 DRAM 市場的差距已不到一年。

《Business Korea》的報告詳細分析了長鑫儲存最新 DDR5 產品的性能參數，指出其最高速率可達 8,000Mbps，單顆容量最高為 24Gb，性能表現已能與三星及 SK 海力士等韓國頂尖廠商的最新 DRAM 產品相媲美。

雖然市場上先前曾出現少量中國企業生產的 DDR5 產品，但此次是長鑫儲存首次以代表性廠商的身份，正式展示可供量產的實際產品。

韓國半導體產業分析人士對長鑫儲存所展現出的 DRAM 效能給予了高度關注。他們強調，DDR5 最大速度達到 8,000 Mbps，相比其上一代產品的 6,400 Mbps 提升了 25%，這代表著長鑫儲存在技術路線上至少已經追上了韓國 DRAM 公司的水準，此等效能足以應用於搭載最先進 CPU 的伺服器等高端領域。

長鑫儲存內部人士也公開表示，新產品的推出將成為有效的替代方案，有助於降低中國對海外公司的依賴。

從市占率來看，長鑫儲存的快速崛起已經開始顯現。日經和研調機構 Counterpoint Research 的數據指出，長鑫儲存第三季的 DRAM 市場佔有率已達到 8%，位居全球第四；在 NAND 快閃記憶體部分，另一家中國廠商長江儲存（YMTC）第三季的市佔率也達到了 13%。

儘管長鑫儲存目前的 DRAM 月產能為 27 萬片，約為三星 (64 萬片) 與 SK 海力士 (51 萬片) 合計產能的 42% 至 53%，但外界普遍預期，一旦長鑫儲存全面量產 DDR5 與 LPDDR5X，將可能有效抑制記憶體市場的價格波動，並對韓國公司在中國的銷售構成衝擊。

數據顯示，去年韓國兩大記憶體公司在中國的總銷售額高達 87 兆 3,000 億韓元，約佔兩家公司合計總銷售額的 23.7%，因此中國市場的任何變化都將對韓國廠商的營收產生巨大影響。

報告進一步指出，儘管美國對 EUV 等關鍵設備出口中國實施封鎖，限制了中國廠商的技術發展速度，但韓國業界專家普遍認為，在通用 DRAM 領域，雙方的技術差距已縮短至不到一年。

首爾大學材料科學與工程系教授 Hwang Cheol-seong 更直言，單純從記憶體晶片技術水平來看，韓國與中國的差距幾乎已經消失。

展望未來，韓國業界對 2030 年迎來的「3D DRAM 時代」保持高度警惕。《Business Korea》認為，3D DRAM 是一種將記憶體晶片單元向上堆疊的產品，其最大特點是可能大幅降低對 EUV 曝光設備的需求。