最新數據顯示，記憶體晶片市場正迎來貨品交易與股市交易的雙重上行週期，中國記憶體指數截至周二 (9 月 30 日) 大漲 5.46%，多檔個股漲停，反映出產業回溫與漲價潮的強勁動能。

《21 世紀經濟報道》報導，本輪行情本質是記憶體產業步入新一輪上行週期的體現。經歷第一季庫存調整後，業界已開始復甦，加上上游大廠產能遷移，進一步推高漲價預期。

美光科技 (MU-US) 、三星等廠商陸續宣布減產 DDR4 及 LPDDR4，將產能轉向 DDR5 及 LPDDR5，導致手機等終端記憶體市場出現結構性吃緊情形，SanDisk (SNDK-US) 等廠商近期宣布漲價，更將市場熱度推向高潮。

專家指出，這項調整的核心是上游廠商的策略轉向，從低利潤的 NAND 領域向高獲利的 DRAM 市場傾斜，尤其聚焦在 AI 大模型驅動的高需求情境。

根據美光科技最新公布的 2025 財年第四財季財報，DRAM 營收達 90 億美元，年增 69%、季增 27%，佔總營收 79%，而 NAND 營收僅 23 億美元，年減 5%。為此，美光已宣布停止行動 NAND 產品開發，包括終止 UFS5 研發，但將持續支援 SSD、汽車等領域的 NAND 方案，並加碼行動 DRAM 市場。

高頻寬記憶體 (HBM) 作為 AI 伺服器核心零件，成為廠商爭奪焦點。SK 海力士先前因 HBM 產能售罄，進一步堅定轉向高利潤 DRAM 的決心，間接推動 DDR4、LPDDR4 等舊世代產品減產，但這類產品近期卻因價格倒掛陷入緊俏。

DDR4 主要用於高效能運算，LPDDR4X 用於低階手機，儘管需求集中於低階機型且空間收窄，但上游減產疊加舊庫存消耗，導致今年第三季 LPDDR4X 合約價漲幅達 24%-36%，部分現價
產能轉換的滯後性加劇了漲價趨勢。

儘管美光、SK 海力士打算今年底停止接收 LPDDR4X 新訂單，明年第三季起暫停出貨，三星也預計 2026 年逐步停產，但短期內供應吃緊情況難以緩解。

群智諮詢指出，主要廠商放緩 DDR4/LPDDR4 過程遷移進度，加上中國記憶體品牌暫停報價、控貨惜售，「買漲不買跌」心理下需求升溫，進一步推高價格。

手機廠商則首當其衝。多數手機仍搭載 DDR4/LPDDR4，一方面因產品定位，另一方面受限於主晶片適配能力，從 LPDDR4X 轉向 LPDDR5X 需主晶片支持，轉換需時間。為因應漲價，廠商已透過推出多供應商保障供應，但下半年新品旺季仍難避成本壓力。

分析師指出，舊庫存消耗後，廠商將向客戶漲價，成品調漲不可避免。

根據 TrendForce 預測，今年第四季 DRAM 價格較上季將漲 8%-13%，若計入 HBM 則漲幅擴大至 13%-18%。記憶體晶片市場上行週期，既是 AI 浪潮的紅利釋放，也是產能結構調整的必然結果，熱度有望持續滲透至更廣泛的終端市場。