隨著 AI 算力需求的爆發式增長，加上儲存產業「超級週期」的全面開啟，記憶體晶片價格持續飆升，正以前所未有的速度影響全球電子產業鏈，從 GPU、SoC 到被動元件無一倖免。

一名記憶體晶片原廠員工向媒體透露，目前產品供不應求，「就算手機廠不下單，我們也能將產能轉向伺服器客戶，他們同樣缺貨，而且售價更高。」

這自信的背後，正是整個產業面臨的晶片漲價浪潮。

近期全球記憶體晶片市場迎來罕見的強勢漲價潮。自 2025 年下半年起，全球記憶體價格全面上漲，進入第四季後漲幅更是迅速擴大。

市場數據顯示，主流 DDR5 16Gb 顆粒在 9 月底價格為 7.68 美元，但短短一個月便升至 15.5 美元，單月漲幅達 102%；DDR4 16Gb 顆粒價格也上漲逾 92%。

以三星為例，其 DDR5-5600（16GB）DRAM 價格在兩個月內從 6.9 萬韓元飆升至 20.8 萬韓元，幾乎翻了三倍。

三星更宣布將伺服器記憶體合約價調高 30% 至 60%，其中 32GB DDR5 模組價格從 9 月的 149 美元暴漲至 239 美元，創下歷史最大單次漲幅。

摩根士丹利指出，過去六個月，NAND 現貨價格上漲約 50%，而 DRAM 現貨價格暴漲 300%，漲幅遠超 2016 至 2018 年記憶體長週期水準。

TrendForce 預測，2025 年第四季 DRAM 合約價格將較去年同期上漲超過 75%，對整機成本影響可達 8%-10%。

供需失衡的結構性原因：AI 伺服器是核心推手

在供給端，三星、SK 海力士和美光將產能轉向高利潤產品如 HBM 和 DDR5，導致傳統儲存產品供應下降約 25%。

例如，三星 NAND 晶圓產量目標下調至 472 萬片（下降 7%），鎧俠調至 469 萬片（下降 2%），SK 海力士調至 180 萬片（下降 10%）。

同時，業界數據顯示，2023 至 2024 年間儲存產業的資本支出下降了 30%，而產能擴張週期長達 18 至 24 個月。

有分析師預計，供應緊張的局面可能會持續到 2026 年之前。

與以往景氣週期不同，本輪記憶體晶片市場的上行並非由個人消費性電子推動，而是由 AI 伺服器驅動。

AI 大型語言模型訓練與推理帶來的前所未有儲存需求，徹底改變了產業週期規律。

在需求層面，AI 伺服器對儲存晶片的「量價齊升」趨勢特別明顯：單一 AI 伺服器所需 DRAM 約為傳統伺服器的 8 倍，NAND Flash 的需求則是傳統伺服器的 3 倍。

另一方面，面對 AI 模型參數高達兆級的挑戰，傳統記憶體的數據傳輸速度已成為限制算力發揮的瓶頸，也就是所謂的「記憶體牆」問題。

為解決這一問題，高頻寬記憶體（HBM）應運而生。HBM 透過將多個 DRAM 晶片垂直堆疊，提供數倍於傳統記憶體的傳輸速度，已成為輝達 (NVDA-US) 、超微半導體 (AMD-US) 等 AI 晶片巨頭的標配。

然而，HBM 的製造工藝複雜且成本高昂，其所需晶圓產能是標準 DRAM 的三倍以上，直接擠壓了傳統 DRAM 的產能，進一步加劇了市場供應緊張。

這種供需的結構性失衡，也在價格上帶來了罕見的現象：由於產能被 HBM 持續佔用，傳統 DRAM（如 DDR4）的供應日益緊張，價格漲幅甚至一度超過更先進的 DDR5，出現了所謂的價格倒掛。

可見，由 AI 需求引發的記憶體晶片漲價風暴正席捲全球，並對整個晶片產業鏈造成連鎖效應。

晶片漲價潮蔓延：從 GPU、SoC 到被動元件

記憶體晶片漲價也迅速影響整個晶片和電子產品產業鏈。

其中，GPU 晶片成為漲價主力。輝達、AMD 等廠商計畫上調顯示卡片價格，以因應記憶體晶片成本上漲。

GDDR 顯存供應緊張，尤其是 AI 伺服器優先使用 DDR5，導致 GDDR6X、GDDR7 短缺，進而推動顯示卡整體漲價。

AI 顯示卡使用的 HBM 價格漲幅尤為明顯，SK 海力士與輝達 2026 年 HBM4 供應協議單價高達 560 美元，比現價漲超 50%。高階遊戲顯示卡與 AI 加速卡近三個月價格已漲約 20%-30%。

根據 VideoCardz，AMD 已計劃調整所有 GPU 型號價格，並通知部分合作夥伴，但具體幅度和時間未定。

同時，有消息稱，因 GDDR 等記憶體晶片成本上漲，AMD 和輝達可能縮減或暫停部分 GPU 生產，將有限晶片優先用於高毛利產品。

市場普遍推測，面向大眾的 50/60 系列 GPU 將首當其衝，消費型 GPU 供應或將受影響。

GPU 價格暴漲不僅衝擊 DIY 市場，也影響預裝系統、筆電、Xbox、PlayStation 及手持遊戲機。

根據《PCMag》報導，儲存成本上升可能導致明年幾乎所有電子產品漲價，同時引發部分市場的恐慌性採購。隨著雲端運算和 AI 企業加大採購，SSD 價格也大幅上揚。

部分 SoC 與 MCU 晶片同樣漲價，這類晶片廣泛應用於智慧型手機、汽車電子與物聯網設備，整合的 DDR 記憶體價格暴漲直接推高製造成本。

以汽車電子為例，L3 自動駕駛車型 MCU 晶片所需 DDR 成本佔比已從 15% 升至 25%，推動終端產品調價；高階 SoC 整合 LPDDR5X，成本漲幅超 30%，部分旗艦機定價明顯上調。

被動元件亦受波及。中國龍頭風華高科 (000636-CN) 向代理商及顧客調價，幅度 5%-30%。

其中，電感磁珠漲 5%-25%，壓敏電阻及瓷介電容漲 10%-20%，厚膜電路漲 15%-30%。

風華高科表示，漲價主要因上游金屬原物料價格上漲，其中銀價今年已漲 50%，錫、銅、鉍、鈷等也全面上漲，部分產品線成本壓力龐大。

同時，AI 伺服器與新能源車對被動元件需求激增，單一 AI 伺服器 MLCC 用量是傳統伺服器的 8 倍，加劇供需缺口。

實際上，矽片、晶圓、基板、光阻、封裝材料等晶片核心原料漲價或供應緊張，也會傳導至晶片成本，壓縮廠商利潤。

在記憶體晶片漲價的大環境下，功率晶片、邏輯晶片等通用晶片也隨之上漲。

業內人士指出，下游廠商提前備貨加劇短期緊張，同時頭廠商藉產業景氣提升獲利，中低階通用晶片漲幅雖小，但也達 10%-15%，在消費電子與工業控制領域尤為明顯，形成全面漲價預期。