DRAM 廠南亞科 (2408-TW) 今 (29) 日召開股東會，董事長吳嘉昭表示，今年 DRAM 在伺服器、手機與筆電等終端應用市場都呈現成長，且供給端方面，受惠三大供應商專注在 HBM 與 DDR5 等高毛利產品，DDR4/DDR3 等常規產品產出增加有限，今年整體在終端需求成長及產品組合改善，市場的平均售價將呈現逐步上漲。

南亞科目前 10 奈米第二世代 (1B) 製程技術，除了 3 顆產品正在試產中，另外在設計開發中有 4 顆產品，包括 16Gb DDR5 的微縮版、16Gb LPDDR4、16Gb LPDDR5 以及 4Gb DDR3，也將逐步進入試產。使用 10 奈米第三世代 (1C) 製程技術的第一顆產品 (16Gb DDR5) 預計年底完成設計，明年初進入試產。

另外，南亞科今年也將同步開發矽穿孔 (TSV) 製程技術，未來結合 DDR5 微縮版與 TSV 製程做成高容量 DRAM 模組，以供應伺服器市場需求。

DRAM 是人類進入智慧世代，使所有電子產品智慧化的關鍵零組件，隨著 5G 及 AI 的發展，將持續帶動 DRAM 的成長。

在伺服器方面，受惠於雲端服務業者正大量投資 AI 伺服器，其他企業容戶也增加通用型伺服器採購，整體伺服器出貨可望顯著成長，同步帶動較高毛利的 HBM 與高容量 DDR5 模組的出貨成長，預期伺服器今年市場持續改善。

手機去年下半年新機上市後，強化市場需求復甦，由於手機導入 AI 功能，DRAM 搭載量持續增加；PC 庫存已經回到正常水準，隨著軟硬體升級需求，以及 AI PC 推出，將帶動整體換機潮，DRAM 搭載量也會同步成長；消費性電子如電視機、機上盒因為奧運加持而升溫，Wi-Fi 7 問世也會強化網通產品銷售動能，預期消費性電子產品也會回到正常軌道。

資本支出方面，南亞科預期，今年為因應現有廠內部分產能轉進 1B 製程技術、一般部門資本支出及新廠營建類支出等，預計上限為新台幣 260 億元，其中生產類設備預算將略低於五成。

展望今年，吳嘉昭看好，DRAM 市場維持穩健復甦，公司將堅持技術創新為公司核心價值及成長的主要動力，將投入更多的研發資源，加速開發 10 奈米級製程技術與更多新世代 DDR5 的產品，提升競爭力，努力為所有股東創造更多的價值，善盡企業社會責任，邁向永續發展。