DRAM 大廠南亞科 (2408-TW) 董事會今 (23) 日通過今年資本支出預算案，金額在 260 億元內，總經理李培瑛指出，其中五成將投入製造生產設備，新廠也將如期在 2026 年完工，展望全年，預期需求將逐季改善，南亞科今年位元成長率達 20% 以上。

南亞科今年資本支出 260 億元，主要因應新廠興建、1B 製程技術製程轉進等， 其中，1B 製程技術 8Gb DDR4 與 16Gb DDR5 產品預計今年生產，3D 堆疊技術研發進行中，用於開發高密度 RDIMM 產品，瞄準伺服器市場。

從產業趨勢來看，李培瑛看好，DRAM 市場持續受到 AI 應用帶動 HBM 需求，加上 DDR4 轉換 DDR5，今年需求將逐季改善、價格也有機會逐步上漲，會持續觀察整體經濟、歐洲戰爭與美中衝突等地緣政治帶來的影響。

李培瑛指出，由於供應商加速生產 HBM 及高密度 DDR5，有利產能去化及調整 DDR4 及 LPDDR4 庫存，預期今年將恢復供需平衡，從三大市場來看，AI 伺服器將激勵雲端需求，AI PC / 手機則會提升平均 DRAM 搭載量，消費型市場需求也相對健康。

針對新技術，李培瑛補充，南亞科 1B 製程技術，相較 1A 技術可使單片晶圓產能提升 30%，有助於節能減碳，DDR5 產品預期可比 DDR4 平均功率下降約 16%，且效能可提升兩倍。

南亞科去年研發經費 76 億元，研發團隊達上千人，截至去年累計開發 110 個 AI 應用，培育 450 位 AI 人才；累計專利獲證件數達 6800 件。