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傳三星、美光考慮Q1調漲DRAM價格15-20%

鉅亨網新聞中心
傳三星、美光考慮Q1調漲DRAM價格15-20%(圖:shutterstock)
傳三星、美光考慮Q1調漲DRAM價格15-20%(圖:shutterstock)

據半導體資訊網站引述媒體報導,包括三星電子和美光科技 (MU-US) 在內的記憶體晶片行業主要參與者,正在考慮在 2024 年第一季將 DRAM 價格上漲 15%-20%。

業界人士指出,此舉主要是為了改善獲利狀況,其中價格上漲的重點將從 NAND Flash 轉移到 DRAM,尤其是 DDR4 和 DDR5 這兩種類型,本輪記憶體價格的上漲趨勢,預計將持續到 2024 年底。

與 NAND Flash 此前價格飆升相反,2023 年第四季 DRAM 定價保持相對穩定。

據報導,某些儲存模組製造商已收到三星關於 2024 年第一季 DRAM 價格至少上漲 15% 的通知。雖然三星沒有具體說明,但 NAND Flash 預計將持續上漲。

去年 12 月,DRAM 價格上漲 2%-3%,但仍低於同月 3D TLC NAND 約 10% 的漲幅。

隨著智慧型手機和伺服器的需求逐漸改善,預計 DRAM 供應將趨緊。記憶體晶片製造商目前傾向於在 2024 年上半年提高 DDR4 和 DDR5 價格,而 DDR3 產量和價格預計將保持相對穩定。

此前,摩根士丹利也在報告中說,下游客戶已經開始補庫存,明年第一季記憶體晶片價格有望大幅上漲,預估 DRAM 和 NAND 價格將在明年第一季上漲 20%。

摩根士丹利表示,從供需方面來看,記憶體廠商在大幅減產之後,產量遠低於需求,隨著需求的改善,2024 年的價格上漲前景將更加明確。

摩根士丹利認為,人工智慧需求將進一步提振儲存晶片價格,雖然人工智慧應用程式大部分都部署在雲端,但從 2024 年開始,邊緣需求將變得越來越普遍。

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