電動車市場起飛，催生對第三代半導體材料需求爆發，上游材料 SiC(碳化矽) 基板製程複雜、技術門檻高，儘管國際 IDM 大廠 8 吋發展進度超乎預期，不過台廠仍看好，至少未來 5 年，6 吋 SiC 基板都將扮演主流角色。

SiC 材料近來備受市場關注，受限成本過高，加上是堅硬、易碎的非氧化物陶瓷材料，長晶時間長，加工製造過程困難，成為 SiC 上游材料放量卡關的因素。

隨著電動車市場爆發，對高頻、高功率、高電壓、高溫特性的 SiC 材料需求殷切，但因製程難度高，目前全球 SiC 晶圓主流尺寸僅推進至 6 吋，每片晶圓能製造的晶片數量不大，仍不足以滿足終端需求。

國內目前擁有相關產能的廠商，包括環球晶 (6488-TW)、嘉晶 (3016-TW)，環球晶 6 吋 SiC 基板已開始出貨，明年並規劃往磊晶發展；嘉晶則是出貨 6 吋 SiC 磊晶，但在市場供應不足下，近來基板取得上也面臨挑戰。

由於製造碳化矽晶圓原料多需從國外進口，且目前擁有 SiC 晶圓量產能力的 Wolfspeed、羅姆半導體等 IDM 廠，包括長晶、加工製程等設備均是自行開發，再者，越來越多國家視碳化矽材料為戰略性資源，採取出口管制，對台廠原料及相關設備取得上造成很大壓力。

也因此，台廠積極佈局 6 吋 SiC 基板與磊晶之際，國際 IDM 大廠如意法半導體，已進展至 8 吋。

對此，漢磊認為，即便目前能供應 6 吋產能、可是真正進到基板量產階段的廠商都不多，且 8 吋難度更高，預估要成熟量產的時間，至少還要 2-3 年，看好至少 5 年內，6 吋 SiC 都會扮演主流角色，且就算 8 吋市場放量，6 吋還是具一定程度競爭力。