據報導，南韓三星電子 (Samsung) 可能將第一代 3 奈米製程技術首先應用在自家的晶片，隨後才會將該技術應用到客戶產品中。

報導指出，三星電子在近期上海晶圓代工論壇中，發布了該公司半導體代工業務的藍圖，其中提到了 2021 年下半年將量產第一代 4 奈米晶片，2022 年將量產第二代 4 奈米晶片，並將在 2023 年量產第二代 3 奈米晶片的計劃。

不過，其中並沒有提到量產第一代 3 奈米晶片的計劃。三星電子先前曾宣布表示，將從 2022 年開始推出 3 奈米製程技術。

有分析人士指出，三星電子之所以沒有透露第一代 3 奈米製程的計劃，很可能是因為該公司計劃先將其應用在自家設計的晶片，然後才會再提供給客戶。

與 5 奈米工藝製程生產的半導體相比，透過 3 奈米工藝製成製造的半導體尺寸縮小 35%，表現性能和電池效率更分別提升了 15% 和 30%。台積電目前也在開發 3 奈米製程技術，目標在明年推出。

三星的 3 奈米製程技術將採用全新 GAA (環繞閘極) 架構，使其能夠對晶片核心的電晶體進行重新設計和改造，改進了靜電特性，使其更小、更快，並降低功耗。

在上個月，美國電子設計自動化 (EDA) 公司新思科技 (Synopsys) 宣布，複雜的多系統晶片系統已成功設計定案 (Tapeout)，加速其為三星 3 奈米 GAA 工藝技術的認證。

Tapeout 為新思科技和三星合作完成，雙方聯合驗證了此製程的設計、生產流程，為 3 奈米 GAA 技術的關鍵里程碑，意味著距離量產又近了一步。