〈高啟全離開紫光〉助力長江存儲自主開發3D NAND 成中國記憶體產業重要推手
高啟全加入紫光集團後,成為協助打造中國國家級 NAND Flash 產業的重要推手,紫光集團旗下長江存儲已成功開發 Xtacking 技術,累積自己的 3D NAND 專利,並於今年 4 月完成研發 128 層 3D NAND 晶片,要以 3D NAND 技術,快速追趕三星、SK 海力士等一線 NAND Flash 大廠。
高啟全在紫光集團擔任全球執行副總裁、長江存儲執行董事及代行董事長、武漢新芯執行長等職務,當初轉戰紫光的契機,是因與紫光集團董事長趙偉國相談後,發現雙方在發展記憶體產業上的方向與想法一致,也有共同目標,要對抗在記憶體領域獨霸一方的三星,便於 2015 年 10 月時轉戰紫光集團。
而中國政府透過國家集成電路產業投資基金 (大基金),要達成記憶體晶片自製化,並傾向集中資源扶植一家公司,當時,湖北省政府、武漢新芯與紫光均相當有興趣,在大基金的牽線下,紫光與武漢新芯共同攜手,而高啟全就成了打造中國國家級 NAND Flash 產業的重要推手。
2016 年時,紫光國芯與武漢新芯 2 家公司合併,成立長江存儲,在大基金全力扶植下,長江存儲不到 4 年時間便快速崛起,2018 年 8 月在美國發佈 Xtacking 技術,累積自己的 3D NAND 專利,2019 年底陸續推出 32 層、64 層 3D NAND 晶片,並直接跳過 96 層,於今年 4 月宣布完成研發 128 層 3D NAND 晶片。
長江存儲在發展 3D NAND 初期,就取得專利授權,並在此基礎上研發 32 層 3D NAND,但從 64 層起,便走向獨立自主開發。高啟全認為,自主開發得用合法方式來獲得,不能竊取技術,才能吸引全球人才、打造國際化的規格,而 Xtacking 技術,就是代表長江存儲最重要的自主智慧財產權。
隨著長江存儲展現研發能量,在技術上大躍進,擴產計畫也如火如荼進行中,目前武漢廠月產能 10 萬片,並在逐步完成武漢廠區剩餘二座廠房的興建與擴產,也規劃在成都新廠建置 10 萬片產能,待明年完工後,總產能將擴增至 30 萬片。