晶圓代工龍頭台積電 (2330-TW) 今 (21) 日上傳股東會年報，年報中首度提到 2 奈米製程技術進展，去年領先半導體產業進行 2 奈米製程技術研發，針對 2 奈米以下技術進行探索性研究；至於 EUV 專案，去年也取得持續性進展，可加快先進技術學習速度與製程開發，將逐步邁向全面生產製造就緒。

台積電表示，每 2 年半導體運算能力增加 1 倍的摩爾定律，技術挑戰日益困難，研發組織努力讓台積電能夠提供客戶率先上市、且先進的技術和設計解決方案，幫助客戶取得產品成功。

去年台積電隨著 7 奈米強效版技術量產，及 5 奈米技術成功試產，台積電研發組織持續推動技術創新，以維持業界的領導地位。台積電表示，當公司採用三維電晶體第六代技術平台開發 3 奈米技術時，也已開始開發領先半導體業界的 2 奈米技術，並針對 2 奈米以下的技術進行探索性研究。

5 奈米方面，台積電表示，雖然半導體產業逼近矽晶物理極限，5 奈米製程仍遵循摩爾定律，顯著提高晶片密度，在相同的功耗下，提供更好效能，或在相同效能下，提供更低功耗。目前靜態隨機存取 (SRAM) 記憶體及邏輯電路良率均符合預期，已達成去年進入試產的目標。

相較 5 奈米製程技術，台積電 3 奈米製程技術大幅提升晶片密度及降低功耗，並維持相同晶片效能，今年研發著重於基礎製程制定、良率提升、電晶體及導線效能改善，及可靠性評估，將持續進行 3 奈米製程技術全面開發。

微影技術方面，台積電去年研發重點在 5 奈米技術轉移、3 奈米技術開發與 2 奈米以下技術開發的先期準備。5 奈米技術已順利移轉，研發單位與晶圓廠合作排除極紫外光微影量產問題。

針對 3 奈米技術開發，極紫外光 (EUV) 微影技術展現優異光學能力，與符合預期的晶片良率，研發單位正致力於極紫外光技術，以減少曝光機光罩缺陷及製程堆疊誤差，並降低整體成本。台積電表示，今年在 2 奈米及更先進製程上，將著重於改善極紫外光技術的品質與成本。

台積電表示，去年極紫外光專案在光源功率及穩定度上，有持續性進展，光源功率穩定與改善，得以加快先進技術學習速度與製程開發。此外，極紫外光光阻製程、光罩保護膜及相關光罩基板，也都展現顯著進步，極紫外光技術正逐步邁向全面生產製造就緒。