據韓媒《Business Korea》報導，三星電子 (Samsung Electronics) 已經成功開發了業界首個 3 奈米晶片製程，此項成就有望加速三星實現 2030 年的半導體願景計劃，該願景計劃旨在 2030 年成為系統半導體和存儲晶片領域的龍頭。

三星電子副董事長李在鎔於週四 (2 日) 訪問了位於南韓華城市的半導體研究中心，並釋出三星電子已成功研發首個 3 奈米微製造技術 (Microfabrication Technology) 的消息。

與三星近期的 5 奈米製程產品相比，3 奈米製程的晶片尺寸縮小了 35%，功耗降低了 50%，但性能卻提高了 30%；三星也計劃在 2022 年開始利用 3 奈米製程大規模生產晶片。

而三星的主要競爭對手台積電先前曾表示，台積電 5 奈米製程將依進度於今年上半年量產，3 奈米將於 2022 年量產，位於新竹寶山的研發中心也預計今年第 1 季動工。

另一方面，鑑於 5G 網路的快速發展，三星擬計畫再注資 80 億美元於其中國西安二期晶片工廠，以提高 NAND 快閃記憶體的產能，市場預測明年半導體需求將回彈。

《Business Korea》指出，三星為了應對 5G 設備與網路不斷增長的需求，從 2017 年開始啟動為期三年的西安工廠擴建計畫，第一階段投資 70 億美元，估計第二階段將再投入 80 億美元。目前二期項目總投資 150 億美元。