據《麻省理工科技評論 (MIT Technology Review)》報導，中國中芯國際 (0981-HK) 在去年宣布 14 奈米 FinFET 製程研發成功後，今年將如期開始出貨貢獻營收，正式追上台積電 (2330-TW) 南京 12 吋晶圓廠的 16 奈米工藝，而《麻省理工科技評論》分析，中芯國際半導體製程大躍進功臣，即是聯合首席執行長梁孟松。

曾任台積電前研發處長的梁孟松，先前也曾轉投三星，之後才輾轉到中芯國際效力，而梁孟松到中芯國際短短不到 10 個月的時間，就令中芯卡關 3 年多的 14 奈米製程獲得突破，甚至在今年開始貢獻營收。

《麻省理工科技評論》指出，梁孟松主要為中芯國際帶來了「孟松三箭」：

第一箭是首顆採用 FinFET 製程製造的 14 奈米晶片，創下中國首顆 FinFET 製程自產晶片之里程碑，中芯國際 14 奈米 FinFET 工藝將同時瞄準全球客戶，不是只有國內的 IC 設計客戶，目前已經有超過 10 個流片客戶數量。

第二箭是 12 奈米工藝，主要是強化第一代 FinFET 技術，而也已經進入客戶的導入階段，預計年底將有幾個客戶進行流片。

第三支箭是第二代 FinFET 工藝，暫定 N+1 技術世代，目前也密集與客戶接觸討論此中商機，未來應用領域包括處理器、車用電子、人工智慧等。

台積電南京 12 吋晶圓廠 16 奈米晶片量產時，是中國境內最高階的工藝技術，而當時中芯國際最高階技術僅是 28 奈米。

而未來，台積電針對 16 奈米的微縮版本 12 奈米工藝，也將轉移至南京廠，但日程未定；而中芯方面，已計劃年底小量生產 14 奈米，再由 12 奈米接棒，計劃追趕上台積電南京廠。

中芯國際在 8 月 8 日的董事會後也已宣布新的獨立董事人選，原本該職位是由前台積電共同營運長蔣尚義擔任，隨著蔣尚義請辭赴武漢弘芯擔任首席執行長，該職務空出，故中芯國際宣布，改由前台積電研發處長楊光磊出任。

對於中芯 14 奈米製程已獲得突破，甚至今年開始貢獻營收，市場多有議論是否中芯可能追趕上台積電技術，據業內人士透露，目前台積電領先中芯國際不只三個世代的製程，中芯量產 14 奈米工藝晶片對台積電來說，其實影響不大。