中芯國際2025年據稱完成5奈米晶片開發 但良率不佳

Wccftech 的報導指出，中國晶圓代工廠中芯國際 (SMIC) 預計將在 2025 年，完成 5 奈米製程技術的開發。 由於缺乏先進的 EUV (極紫外光) 微影設備，據傳中芯國際將採用較舊的 DUV (深紫外光) 設備達成目標，但也因此導致其成本偏高、良率不佳。

根據 Wccftech 網站發布的報導，儘管華為已成功採用中芯國際的 7 奈米製程 (N+2) 生產麒麟 9000S 晶片，並搭載於 Mate 60 旗艦系列，市場也曾傳聞中芯國際已於 2024 上半年成功開發 5 奈米製程，然而，由於缺乏先進設備，讓其量產上遭遇挑戰。

一份由 Kiwoom Securities 發布並由爆料者 @Jukanlosreve 發現的報告顯示，中芯國際預計將在 2025 年完成其 5 奈米晶片的開發。

儘管如此，報告暗示，中芯國際在達成此雄心勃勃的目標過程中將面臨諸多困難。例如，據稱中芯國際的 5 奈米晶圓生產成本將比採用相同製程的台積電高出多達 50%。此外，其良率預計僅為台積電同等技術的三分之一。

報導稱，成本增加的主要原因是中芯國際採用了較舊的深紫外光 (DUV) 設備而非 EUV，這需要額外的製程步驟才能成功實現 5 奈米製程。額外的製程步驟不僅會延長 5 奈米晶圓的生產時間，還會降低中芯國際的良率，導致更多「不良批次」的產生。

儘管如此，根據 @Jukanlosreve 的說法，這項技術將被華為用於其昇騰 910C 人工智慧晶片，旨在減少中國對輝達的依賴。這也與先前中芯國際已完成 5 奈米製程開發以支持華為昇騰 910C 量產的消息相符。

報導指出，中國正積極發展本土的 EUV 設備，據稱首批 EUV 機台將於 2025 年第三季度進入試產階段。另一家與華為相關的中國設備製造商 SiCarrier 據稱也在開發 ASML 設備的替代方案，這將有助於該地區全面啟動先進半導體的量產。

然而，目前尚不清楚中芯國際何時能夠大量生產 5 奈米晶圓。值得注意的是，儘管市場預期華為的 Mate 70 系列將採用 7 奈米製程的麒麟 9020 晶片進行量產，這也暗示了中芯國際在 5 奈米製程的量產方面可能仍然面臨一些障礙。