東芝、三星、英特爾等大廠爭相擴產 2019年NAND Flash恐供過於求

東芝 (6502-JP) 與威騰在 2017 年經歷長時間的法律訴訟及合資爭議後，已於 2017 年 12 月 13 日達成和解，雙方延展合資關係至 2029 年，並確保威騰在 Fab6 中能夠參與投資，延續在 96 層以後 3D-NAND Flash 的競爭門票。

東芝隨即在 12 月 21 日宣布 Fab 7 興建計劃，TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）指出，隨著東芝、三星 (005930-KRX) 、英特爾 (INTC-US)、紫光集團 (0365-HK)(000938-CN) 旗下的長江存儲等都將擴增 NAND Flash 產能，對 NAND Flash 產業的影響將在 2019 年轉趨明顯，並使得整體產業可望呈現供過於求狀況。

DRAMeXchange 指出，東芝 Fab 7 有別於以往廠房集中於四日市，廠址改設在岩手縣北上市，該廠投入量產的時程將落在 2019 年下半年後，主要投產 96 層以上的 3D-NAND Flash，對整體產出真正產生影響的時間點將落在 2020 年。

綜觀 2018 到 2020 年 NAND Flash 擴產趨勢，DRAMeXchange 指出，各個陣營皆可說是磨刀霍霍，除東芝剛宣布新建的 Fab 7 以及已興建中的 Fab 6 以外，備受各界關注的長江存儲位於武漢未來城的生產基地也預計於 2018 年下半年開始營運，初期投產 32 層的 3D-NAND Flash 產品，並致力 64 層產品的開發，以拉近與其他供貨商之間的差距。

除了長江存儲以外，其他大廠的投資也不惶多讓，包括英特爾擴建大連廠二期，為應對旺盛的 Server SSD 需求，目標在 2018 年底增加一倍的 3D-NAND Flash 產能。

此外，三星也將擴建西安廠二期，持續放大在中國生產 3D-NAND Flash 的能量。SK 海力士 (000660-KRX) 則將在韓國清州廠區另外興建一座新廠 M15，同樣以投產 96 層以上 3D-NAND Flash 為目標，預計 2019 年可正式進入營運。

DRAMeXchange 分析指出，基於各家供貨商皆在 3D-NAND Flash 具體新增產能，在 2019 年以後 3D-NAND Flash 市場預期會再度進入供過於求格局，而 2D-NAND Flash 則因供貨商陸續轉產，僅維持較低比重繼續生產並著重於工規需求，因此 2D-NAND Flash 市場走勢將與 3D-NAND Flash 脫鉤，逐漸轉變為利基市場。