記憶體製造廠華邦電 (2344-TW) 今 (7) 日召開法說會，總經理詹東義指出，今年整年都有供需缺口，雖然受限於產能，在營收上成長有限，但在毛利率持續提升下，獲利表現則可望優於去年。預估全年資本支出 166 億元，創歷年新高。

詹東義強調，對華邦來說，今年看不到黑天鵝，將呈現穩定成長。

他說，去年預估資本支出 85 億元，實際資本支出約 48 億元，主要是因為部分設備的驗收延後付款，預估今年資本支出 166 億元，將創歷年新高，主要是因應新產能及新技術設備的投入。

詹東義說，DRAM 停在 4X 奈米製程的時間達 6 年，期間沒有製程技術的升級，去年底 3X 奈米完成認證，預計明年上半年 2X 奈米製程也將可認證完成，3x 奈米製程可望在今年下半年顯著貢獻營運，帶動獲利表現，預期今年將可優於去年。

詹東義指出，去年第 4 季記憶體市況比較健康，華邦電趁機進行客戶結構調整，但僅是調整體質並沒有漲價，展望在車用及高容量產品比重將持續成長，NOR Flash 去年業績穩定，今年可望維持，SLC NAND Flash 今年出貨也將繼續成長。

詹東義強調，今年包括 DRAM、NAND Flash 都不錯，產能仍是供不應求，一整年都將有供需缺口，雖然受限產能，在營收成長有限，但是透過新產品及新客戶的引進，提高毛利率的表現，將有助拉升獲利的成長。

他指出，以華邦電來說，今年看不到黑天鵝，將努力耕耘新客戶，今年產能也將巟分利用，追求穩定成長；在客戶群穩定、產品線齊全及技術製程的支撐下，下一步將增加經濟規模。

華邦電 2016 年累計 7-12 月合併營業收入含新唐等子公司約 215.8 億元，營業毛利率為 28%，歸屬母公司淨利 14.8 億元，每股純益 0.41 元。累計 2016 年全年合併營收 420.92 億元，歸屬母公司淨利 28.98 億元，累計每股純益 0.81 元。
 
記憶體事業群部份，2016 年全年度各產品線佔營收比例，利基型記憶體 (Specialty DRAM) 佔全年度營收 49%，營收年增 3%，因客戶及產品組合改善，營收表現穩定成長。行動記憶體 (Mobile DRAM) 佔全年度營收 14%，營收年增 30%，成長動能主要來自國際級客戶於手持裝置應用的營收挹注。快閃記憶體 (Flash Memory) 佔全年度營收 37%，營收年增 11%，主要來自 SLC NAND Flash 的營收成長。