華邦電 (2344-TW) 今 (3) 日董事會核准 11.39 億元資本支出，作為購置設備之用，以因應生產及營運需求，資金來源以自有資金及銀行融資為主，預計自今年第 1 季起陸續投資。華邦電去年第 4 季每股純益 0.23 元，創近 7 季高點，全年每股純益 0.81 元，將於下周二 ( 7 日) 召開法說會，說明今年營運展望。

華邦電在證交所要求下，去年封關日提早公布自結財報，去年 12 月稅前盈餘 2.4 億元，稅後純益 2.22 億元，每股純益 0.06 元；合計去年第 4 季營收 107.75 億元，稅前盈餘 9.88 億元，稅後純益 8.71 億元，每股純益 0.23 元，較第 3 季 0.18 元增加，創 7 季來的高點，表現優於預期。

累計去年營收 420.92 億元，稅前盈餘 37.55 億元，稅後純益 31.4 億元，每股純益 0.81 元。

華邦電去年資本支出預估值為 85 億元，主要作為擴充產能之用，實際資本支出金額將在 2 月 7 日的法說會時公布，預估今年資本支出可望小幅增加，約在百億元以內。

華邦電是 DRAM、NAND Flash、NOR Flash 三大記憶體供應商，主攻利基型 DRAM 市場，去年下半年標準型 DRAM 價格大漲，同時也推升利基型 DRAM 價格上揚，去年第 4 季漲幅達 10%，市場推估今年第 1 季還會再漲 10-15%。

華邦電去年第 4 季受惠需求熱絡，產能吃緊，目前月產能 4.3 萬片滿載運作，台中廠增擴無塵室設備與新廠房，主要生產節能、資安及車用相關應用產品，預計今年 3 月投片；在新產能加入下，月產能可擴增至 5 萬片，新產能投產效益預計可在第 3 季貢獻營收；另外，自主開發的 38 奈米製程也在去年內部驗證通過，是台灣第一家自主開發奈米級記憶體的廠商，預計在今年第 1 季產出。