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邏輯性能再增強！三星確認HBM5將採2奈米基礎裸晶 效能較HBM4E大增50%
07/27
三星電子
HBM
高頻寬記憶體
基礎裸晶
HBM5
運行效率
HBM4E
2奈米
矽穿孔
功耗
TSV
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