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全面突破！三星3D DRAM變「晶圓級樂高」專家：水平電容＋GAA＋PoC 目標是低壓低密度的全新DRAM單元
09/24
DRAM
3D
三星
GAA
PoC
VS-DRAM
SK海力士
水平電容
電晶體
奈米
堆疊
垂直
中國長鑫科技或能繞過EUV制裁？北方華創稱3D DRAM兩步刻蝕創突破性進展
09/06
中國
北方華創
3D
DRAM
蝕刻
長鑫科技
半導體
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垂直
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晶片
記憶體
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HBM迎重大突破？日韓同步提出「直立式DRAM」新架構
07/12
記憶體
HBM
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