外媒最新報導指出，受全球AI算力驅動、HBM需求持續遠超供給影響，三星電子已將旗下4奈米製程超過50%產能分配給HBM相關記憶體晶片的核心基礎裸片生產，這部分產能目前已處於滿載運轉狀態，全力支撐HBM4產品的產能爬坡。

《Wccftech》與《ZDNet Korea》援引三星電子內外部消息人士報導，不同於採用客製化記憶體工藝製造的HBM DRAM堆疊模組，HBM底部的基礎裸片採用的是邏輯晶片製造工藝，承擔與上層DRAM堆疊互聯、集成記憶體控制器與物理層介面的核心功能，直接決定HBM整體資料傳輸效率與系統集成度。

截至上月，三星4奈米晶片產能中已有50%投入HBM4基礎裸片生產，目前該占比已進一步提升至50%至60%區間，對應月產能規模達1.5萬片晶圓。相關生產全部集中在三星平澤第二園區與第三園區的S5、S6兩條晶圓產線，兩座工廠的4奈米製程總產能為每月3萬片晶圓，剛好實現一半產能定向供給HBM4基礎裸片的配置。

三星憑藉自身同時涵蓋DRAM設計製造與先進邏輯代工的全鏈條能力，正大規模推進從4奈米到7奈米多工藝節點的HBM相關產品生產，憑藉獨有的記憶體與邏輯製造協同優勢，在HBM賽道形成差異化競爭力。

三星同時確定今年Q3進一步擴大HBM4產能的目標。此前行業數據顯示，今年Q2三星HBM全球市占率已攀升至38%，較一年前的15%實現翻倍增長，產能持續傾斜將進一步鞏固其在HBM市場的上升勢頭。

產業鏈長期技術布局同步推進。繼8月相關報導披露後，外媒進一步確認，三星正評估將2奈米製程應用於HBM基礎裸片的技術路線，擬改造位於器興工業區的一條現有產線，專門生產2奈米工藝的HBM基礎裸片，這部分下一代產品將定向供應給輝達，為其後續新一代AI加速晶片提供配套支持。

據悉，業界採用邏輯代工工藝生產HBM基礎裸片的趨勢，從HBM3與HBM3E時代就已開啟，更高的資料傳輸速率與引腳速度要求，倒逼基礎裸片必須使用更先進的邏輯工藝才能滿足性能指標。

目前，全球主要記憶體廠商選擇了完全不同的技術路線：三星堅持自主研發基礎裸片技術並依託自有晶圓廠生產，SK海力士選擇將相關生產外包給台積電，美光則採用專屬客製工藝推進研發。