中國DRAM大廠長鑫儲存（CXMT）在材料技術上取得新進展。長鑫已將過去主要由三星電子(005930KS) 、SK海力士(000660KS) 與美光(MU-US) 等領先業者採用的高介電常數（High-k）材料，導入最新一代DRAM產品並進入量產，顯示其正快速縮小與產業龍頭的技術差距。

TechInsights資深副總裁Jeongdong Choi於周四(27日)舉行的記憶體產業趨勢網路研討會上，說明先進DRAM技術的最新發展。他指出，TechInsights分析顯示，長鑫已成功將高介電常數金屬閘極（HKMG）技術導入G4製程及LPDDR5X產品。

High-k材料主要用於絕緣層，可降低電路之間的漏電流。相較傳統二氧化矽（SiO₂）閘極介電層，High-k材料能在相同電壓下儲存更多電荷，有助於進一步縮小元件尺寸。三星、SK海力士與美光約在四至五年前開始採用這類材料，如今長鑫也將其導入量產製程，代表技術追趕再向前推進。

全球DRAM市場長期由三星、SK海力士及美光三大廠主導，三家公司持續推動12奈米級DRAM與高頻寬記憶體（HBM）商業化，擴大高附加價值AI記憶體產品出貨。身為後進者的長鑫，目前已利用G4、也就是16奈米級製程，實現DDR5及LPDDR5產品商業化，G5的15奈米級DRAM製程也在研發中。

在HBM方面，長鑫正使用G3、即18奈米級DRAM製程進行HBM2E風險量產。HBM2E屬於第三代HBM產品，公司同時也已針對採用G4製程的HBM3展開送樣。

Choi表示，長鑫目前在HBM技術上仍落後業界領先廠商約兩個世代，但其產品藍圖正持續朝更高效能的記憶體解決方案推進。

面對長鑫加速追趕，三星、SK海力士與美光也開始布局下一代DRAM架構。TechInsights研判，三星與SK海力士較可能採用4F² DRAM，美光則可能直接轉向技術難度更高的3D DRAM。

4F² DRAM將傳統平面記憶體單元改為垂直結構，可較目前常見的6F²架構進一步縮小單元面積，提高單位面積的儲存密度，改善資料處理能力與功耗表現。3D DRAM則透過垂直配置位元線或字線，在相同晶片面積內整合更多記憶體單元，並降低元件干擾。

不過，3D DRAM需要導入新材料、鍵合技術及更複雜的製程創新，商業化仍面臨製程複雜度與良率挑戰。Choi認為，若在D0a世代導入，4F² DRAM現階段仍是較務實的候選方案。