群益金鼎證券舉辦「決戰AI投資新賽道論壇」時指出，隨著全球雲端巨頭持續擴大資本支出，AI伺服器帶動資料中心用電需求快速攀升，市場焦點轉向高效率電源管理、高密度供電架構，以及碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代半導體材料。

群益投顧表示，全球功率半導體產業的結構性轉型，群益投顧資深研究員黃鵬睿指出，傳統矽基元件已難以滿足高頻、高壓與高溫要求，促使碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)等寬能隙(WBG)材料進入爆發成長期，此轉型由電動車800V高壓平台和AI資料中心對能源密度的極致需求所驅動，預期SiC和GaN市場將以24-26%年複合成長率成長。

群益投顧進一步分析，AI 伺服器運算導致功耗急遽上升，推動資料中心導入48V直接供電架構，引爆GaN元件與高密度電源轉換模組的強烈需求；在SiC技術上，關鍵在於過渡至8吋晶圓以降低成本；GaN則憑藉高切換頻率，可大幅縮減被動元件體積達40%。

群益投顧預估產業格局將呈兩極化發展，掌握專利電源架構或IDM規模優勢的企業將享有高毛利，反之純技術廠則面臨折舊與低階產能過剩的價格戰考驗，建議投資人布局應緊扣「技術壁壘」和「規模經濟」兩大核心法則。