SK 海力士 (SK Hynix)(SKHY-US) 周五 (7 日) 宣布，計劃在南韓投資 5.4 兆韓元 (約 380 億美元) 擴建晶片製造設施。

SK 海力士在聲明中表示，將在龍仁 (Yongin) 興建新的 DRAM 製造廠，並在清州 (Cheongju) 興建 NAND 晶圓廠，其中約三分之二的投資預算將用於龍仁廠。

SK 海力士表示，此次投資涵蓋 DRAM 與 NAND 兩大記憶體產品，前者具備低延遲特性，後者則可快速存取大量資料，主要是因應「人工智慧 (AI) 時代持續成長的記憶體需求」。

SK 海力士是 AI 基礎建設熱潮的關鍵企業，也是輝達 (NVDA-US) 的重要合作夥伴，先前是帶動南韓 KOSPI 指數上漲的主力，但近期隨著市場對 AI 從熱烈追捧轉向疑慮，SK 海力士股價也跟著劇烈波動。

儘管 SK 海力士到 2027 年的產能已售罄，且正逐步與客戶簽訂更多長期供應合約，市場仍持續質疑該能否長期維持目前令人稱羨的高獲利率。

SK 海力士與三星電子已大手筆承諾進一步投資，以強化南韓國內的製造與 AI 能力。南韓產業部 6 月底曾宣示，南韓目標是在五年內將記憶體產能提高一倍，並建立世界級產能，以大幅領先競爭國家。

SK 海力士周五在首爾交易收盤下跌 4.9%，報每股 142 萬韓元，但盤後在 Nextrade 交易的跌幅已收斂。SK 海力士 ADR 周四收低 5%，報每股 143.53 美元。

SK 海力士另表示，將於第 3 季公布股東回饋計畫。根據周五的聲明，該公司「正積極檢視其他股東回饋措施」，以便持續提升股東價值。