記憶體業者華邦電 (2344-TW) 今 (6) 日召開法說會，總經理陳沛銘表示，記憶體供給持續吃緊，已有多家客戶希望將長約談到 2029 年、甚至 2030 年，並提前鎖定高雄 Module B 新廠產能。因應長期需求，公司已正式啟動 Module B 擴產計畫，預計 2027 年 1 月動工、2029 年開始裝機，最快 2029 年底進入量產。

陳沛銘指出，高雄現有 Module A 月產能將由目前 1.5 萬片擴增至 2.4 萬片，預計今年底開始投片。不過，Module A 擴產完成後，廠內空間幾乎已全數用盡，為因應客戶對 2029 年以後產能的強烈需求，公司因此啟動 Module B 建置。

依目前規劃，Module B 預計 2027 年 1 月動工，若工程進展順利，2029 年 1 月可開始裝機，並採取設備陸續進場、陸續啟動的方式，預計 2029 年第四季進入較大規模投產，實際產出與營收貢獻則主要落在 2030 年。

陳沛銘表示，目前已有不少客戶希望在既有長約之外，進一步洽談 2029 年後的供應，甚至詢問能否提前簽訂 2030 年 Module B 的長期供貨協議，反映全球對成熟型及利基型記憶體產能的競逐仍相當激烈。

華邦電認為，除了 AI 帶動 HBM 需求外，DDR5、LPDDR5、未來 LPDDR6，以及公司主力的利基型 DRAM、CUBE 與客製化記憶體，也都面臨供應緊張。公司並預期，2027 年記憶體供給可能比 2026 年更加吃緊。

Module B 無塵室面積預估約 3 萬平方公尺，約為現有高雄廠區 1.55 萬平方公尺的兩倍。若未來全部裝滿設備，月產能可容納約 5 萬至 6 萬片，但公司不會一次完成所有設備投資，而是依客戶需求、產品組合及長期供貨協議分階段擴充。

陳沛銘表示，Module B 可能先建置 1 萬片、1.5 萬片或 2 萬片產能，再依市場狀況逐步增加。未來產品將涵蓋標準型 DRAM、CUBE、Wafer-on-Wafer、客製化 ASIC 記憶體及矽電容等，實際設備配置將依客戶預測與承諾調整。

製程方面，Module B 將支援下一代 14 奈米及未來 12 奈米 DRAM 製程，並規劃導入 EUV 設備。公司將先發展非 EUV 版本的 14 奈米製程，後續再以 EUV 技術為 12 奈米量產做準備。

由於一般半導體設備交期約 12 至 14 個月，EUV 設備交期更可能長達 3 年至 3 年半，華邦電必須提前規劃設備採購與產能配置。Module B 也將採分階段裝機方式，避免一次投入過多資本，並提高產能與客戶實際需求的匹配度。

資本支出方面，華邦電預估 2026 年全年資本支出約 395 億元，上半年已投入約 75 億元，主要用於高雄廠設備擴充及製程升級。

至於 Module B 整體投資金額，陳沛銘坦言，規模將「非常大」。他以同業建置 4.5 萬片月產能、投資約 3,500 億元為例，若華邦電首階段建置 1.5 萬片產能，可粗略以三分之一規模推估，但實際金額仍取決於製程、設備數量及 EUV 導入程度。

在既有產能方面，高雄廠目前月產能約 1.5 萬片，預計年底提高至 2.4 萬片。現階段 16 奈米月產能僅約 2,000 片，公司理想目標是未來將 16 奈米提高至每月 1.6 萬片，但轉換速度仍需視客戶對 20 奈米產品的需求而定。

隨著高雄廠產能提升及 16 奈米製程導入，華邦電預期 2027 年高雄廠位元產出有機會倍增。公司也將透過製程微縮、良率提升及產品組合調整，在 Module B 量產前，盡可能提高既有廠區的有效產出。

華邦電強調，未來簽署長約時不會只追求訂單數量，而會優先選擇具備 5 至 10 年長期競爭力、需求穩定且願意共同承擔產能投資的策略客戶，確保 Module B 大規模資本支出能與長期訂單相互配合。