全球記憶體供應危機持續升溫，AI 浪潮帶動資料中心大舉擴建，不僅推升高頻寬記憶體 (HBM) 需求，也排擠傳統 DRAM 與 NAND Flash 產能，使整體市場供需失衡情況進一步惡化。

根據外媒引述產業消息指出，三星電子、SK 海力士 (SK Hynix) 與美光 (Micron) 等主要記憶體供應商，已提前售罄 2027 年 DRAM 與 HBM 產能，市場普遍預期，供應緊張局面至少將持續至 2028 年。

報導指出，目前 AI 基礎建設投資仍快速增加，大型雲端服務供應商 (Hyperscaler) 及 AI 企業為確保未來供貨，已提前與記憶體廠簽訂長期供貨合約，甚至接受預付款模式鎖定產能。由於主要供應商將有限產能優先分配給大型客戶，中小型企業及消費性電子品牌未來取得記憶體的難度也將同步提高。

除了 DRAM 外，NAND Flash 市場供應同樣趨於緊俏。市場消息指出，今年主要 NAND 供應商的產能也陸續被預訂，其中三星、美光及 SanDisk 的年度產能已幾乎售罄，鎧俠 (Kioxia) 及 SK 海力士也預計在近期完成 2027 年供貨合約，使整體記憶體市場持續維持供不應求。

AI 需求排擠傳統市場 HBM 成為兵家必爭之地

這波記憶體供應危機，核心原因並非消費性電子需求突然大幅成長，而是 AI 資料中心對高效能記憶體的需求持續攀升。

相較於一般 DRAM，HBM 採用多層晶片堆疊與矽穿孔 (TSV) 封裝技術，可提供遠高於傳統 DRAM 的資料傳輸頻寬，是 AI GPU 及 AI 加速器不可或缺的核心元件。由於 HBM 單位售價與獲利能力遠高於一般 DRAM，記憶體廠也持續將更多產能投入 HBM 產品，進一步壓縮 PC、智慧手機及其他消費性電子產品可使用的 DRAM 供應。

市場人士指出，目前 AI 基礎建設建置速度仍遠快於新增產能速度，幾乎所有新增產能都被大型雲端業者優先吸收，也使一般市場持續面臨供應不足與價格上漲壓力。

新產能難快速到位 供需失衡短期難解

業界認為，供應緊張不易在短時間內改善，主因在於新晶圓廠建置需要相當長時間。

從興建新廠、設備進駐到正式量產，通常需要數年時間，若在美國設廠，因法規與建廠流程更為複雜，所需時間可能更長。雖然三星、美光及 SK 海力士目前都已啟動擴產計畫，但新增產能短期內仍不足以追上 AI 帶來的需求增速，因此市場普遍認為，至少未來兩年記憶體供需仍將維持緊繃。

此外，由於大型 AI 企業願意支付更高價格取得供貨，供應商自然也更傾向將有限產能優先分配至高毛利產品，使傳統消費性市場持續承受供貨不足壓力。

三大記憶體廠一致示警 2027 年恐成最吃緊一年

主要供應商近期對市場前景也抱持相當保守態度。

美光執行長 Sanjay Mehrotra 表示，即使公司持續擴充全球產能，目前仍無法預見供給何時能追上需求，AI 帶來的需求仍持續快速增加，供需缺口短期內難以消除。

三星電子則認為，2028 年前市場新增供給恐怕都難有明顯改善，今年尚未滿足的需求還可能延續至明年，使供應持續維持緊張狀態。

SK 海力士執行長郭魯正 (Kwak Noh-jung) 更直言，2027 年可能成為整個記憶體產業供應最緊張的一年，且即使放眼 2030 年之後，市場需求仍可能持續高於供給能力。

消費電子成本持續增加 iPhone、PC 都面臨壓力

隨著 AI 企業持續優先取得記憶體資源，智慧手機、PC 等消費性產品可取得的 DRAM 配額也可能逐年縮減。

市場預期，2027 年智慧手機與 PC 製造商採購記憶體的成本將進一步提高，終端產品價格也將面臨更大壓力。雖然大型品牌通常可透過長期採購合約降低部分衝擊，但仍難完全避開整體市場價格上漲趨勢。

蘋果同樣受到影響。雖然公司與供應商簽有長期合作協議，可在一定程度上減緩成本波動，但隨著整體記憶體價格持續攀升，市場普遍預期，今年秋季推出的新款 iPhone 仍可能因零組件成本增加而調整售價，未來若供應持續吃緊，價格壓力也可能延續至 2027 年。

蘋果評估更多供應來源 仍面臨政策限制

為降低供應風險，市場也傳出蘋果正評估更多記憶體採購來源，包括中國記憶體廠長鑫存儲 (CXMT)。

不過，CXMT 目前遭美國政府列入限制名單，美方認為其具有國安疑慮。若蘋果採用相關產品，可能影響未來美國政府採購資格，因此即使 CXMT 具備一定供應能力，蘋果仍須在供應鏈穩定與政策風險之間取得平衡。

科技股週三走勢分歧，美光 (MU-US) 小漲 0.06%，收 893.19 美元，但 SanDisk (SNDK-US) 重挫 5.40%，收每股 1,350.50 美元，SK 海力士 ADR (SKHY-US) 下滑超 2% 至每股 151.03 美元。