三星電子在美國聖克拉拉舉行的 FMS 峰會上一口氣發布 zHBM、zNAND-O 兩款概念產品，以及業界首款堆疊超 400 層的 V10 BV-NAND，正面迎戰 SK 海力士與美光，試圖在 AI 時代重奪記憶體話語權。

zHBM 最受矚目，徹底顛覆現行 2.5D 封裝架構，不再將 HBM 與 AI 晶片並排於矽中介層上，而是直接垂直堆疊在加速器上方。

三星在 FMS 峰會上宣稱，藉由晶圓鍵合技術大幅縮短數據路徑，zHBM 性能可達下一代 HBM5 的 8 倍，記憶體密度超 10 倍，能效提升 3 倍，熱阻降低逾 50%，並支援客製化 IP 嵌入，預計 2029 年量產。

與此同時，三星透露今年 2 月已率先以 1c DRAM 製程與 4 奈米基底裸片量產 HBM4，5 月向客戶交付 HBM4E 樣品。

針對邊緣 AI 場景，三星推出 zNAND-O，定位與 SK 海力士、閃迪聯合發布的 HBF 形成差異。HBF 主攻伺服器端填補 HBM 與 SSD 間的分層空缺，zNAND-O 則鎖定端側大模型存儲，透過 TSV 與 UCIe 接口，實現高空間效率、低延遲與高 I/O 性能，預計 2028 年量產。

至於 V10 BV-NAND，距 2013 年首發 V-NAND 已過 13 年，三星首次導入晶圓鍵合架構，堆疊層數突破 400 層，存儲密度較 V9 提升 58%，讀寫與 I/O 性能全面優化，為 AI 系統提供高密度 NAND 支撐。

三星還展示全棧布局：LPDDR5X-PIM 為業界首款內建存算一體的 LPDDR 記憶體；企業級 PM1763、BM1773 則瞄準 AI 資料中心記憶體需求。

作為全球唯一同時掌握記憶體、晶圓代工與先進封裝的 IDM，三星意圖以一站式方案縮短客戶開發周期，在 AI 基礎設施賽道拉開與對手的身位差距，市場將關注這些「願景型」技術能否如期落地，並轉化為實質市場份額。