瑞銀最新預測，三星電子明年將超越 SK 海力士 (SKHY-US)，躍居高頻寬記憶體（HBM）市場龍頭。隨著產業最大客戶輝達 (NVDA-US) 增加採用三星第六代 HBM（HBM4），以及新興重要客戶 AMD(AMD-US) 將三星列為主要供應商，並計劃在旗下 Helios AI 平台整合三星 HBM4 產品，三星已進一步鞏固其市場地位。

根據瑞銀於 7 月 30 日發布的最新報告，預估三星電子將自 HBM4 世代起，在 HBM 位元（bit）出貨量正式追平並超越 SK 海力士。

瑞銀分析師 Nicolas Gaudois 在報告中預測，三星明年 HBM 位元出貨量市占率將達 41%，躍居全球第一；SK 海力士今年市占率為 48% 居冠，但明年將降至 39%，退居第二；美光 (MU-US) 則可望以 20% 市占率維持第三。

值得注意的是，瑞銀今年 5 月發布的前一份報告原本預估，三星要到 2027 年才會追上 SK 海力士，但最新報告已將這項市場格局逆轉的時間提前至 2027 年前。

一位熟悉三星業務的產業人士表示：「三星在 HBM4 認證與良率提升方面進展最快。」

他補充表示：「考量超大規模雲端業者的認證速度，以及供貨量持續提升，實際市場發展很可能與瑞銀的預測高度一致。」

事實上，雖然輝達過去對三星 HBM3E 採購態度相對保守，但如今已展現採用 HBM4 的強烈意願。

另一方面，AMD 也已將三星列為主要供應商，並計畫在下一代 AI 平台 Helios 優先採用三星 HBM4。

這代表隨著 HBM4 世代來臨，SK 海力士迄今建立的市場領先優勢，正面臨愈來愈大的挑戰。

為了因應競爭，SK 海力士正持續擴大資本支出。

瑞銀指出，SK 海力士管理層於第二季法說會中，已將今年資本支出指引上調至 40 多兆韓元的高檔區間。

不過，分析師指出，若僅依賴京畿道利川與忠清北道清州等既有生產基地，SK 海力士擴產速度恐仍落後三星。相較之下，三星已在平澤（Pyeongtaek）預留大量尚未開發的土地，可望提供更大的擴產空間。

此外，SK 海力士表示，其長期供貨協議（LTA）續約進度優於預期。

截至目前，公司已完成 10 份 LTA 簽約，包括與美國主要超大規模資料中心營運商（Hyperscaler）及 OEM（原始設備製造商）簽訂供貨合約。

瑞銀認為，雖然 LTA 可能限制短期售價調漲空間，但長期而言，有助於提升公司獲利能力及股東報酬。

瑞銀也指出，SK 海力士在 HBM4 轉換進度落後三星的跡象，也反映在營運表現上。

根據瑞銀統計，SK 海力士第二季 DRAM 平均售價（ASP）季增僅 30%，主要原因在於 HBM4 直到季度後段才開始大量出貨。

相較之下，三星優先提升 HBM4 產能，擴大對輝達與 AMD 的供貨，因此更早享受到 HBM4 高單價帶來的效益。

反觀 SK 海力士，由於 HBM4 轉換速度較慢，在享受高 ASP 紅利方面也相對落後。